MOS管是场效应管。以下是对MOS管和场效应管的详细解释：

一、MOS管

全称：MOS管，全称为MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管(FET)中的绝缘栅型。

结构：MOS管的主要结构包括金属栅极、氧化物绝缘层(通常是二氧化硅SiO?)和半导体层(通常是硅Si)。

工作原理：MOS管是一种通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间导电沟道的半导体器件。其栅极与源极、漏极之间通过一层绝缘层隔离，因此也被称为绝缘栅场效应管。当栅极电压(VGS)大于阈值电压(VGS(TH))时，MOS管导通，允许电流从源极流向漏极。

分类：根据导电沟道的不同，MOS管可分为N沟道MOS管和P沟道MOS管;根据栅极电压对导电沟道的影响，又可分为增强型MOS管和耗尽型MOS管。

二、场效应管

定义：场效应晶体管(FieldEffectTransistor，简称FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

类型：场效应管主要有两种类型，即结型场效应管(junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。MOS管是金属-氧化物半导体场效应管的一种。

特点：场效应管具有输入电阻高(Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

综上所述，MOS管是场效应晶体管的一种，具有独特的结构和优良的性能特点，在电子电路领域发挥着重要作用。