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IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)构成的复合全控型电压启动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR(电力晶体管)的低导通压降两方面的益处。GTR饱和压低沉,载流密度大,但启动电流较大;MOSFET启动功率很小,开关速率快,但导通压降大,载流密度小。IGBT归纳了以上两种器件的益处,启动功率小而饱和压低沉。特别恰当运用于直流电压为V及以上的变流系统如调换机电、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等范畴。
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