IGBT：光伏逆变器核心器件，应用前景广阔，将加快进口替代。

光伏需求+国产替代双重催化，IGBT是光伏逆变器核心器件，相关厂商深度受益。安信证券

核心逻辑：

1、光伏逆变器核心器件，应用前景广阔

IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，因其通态电流大、耐压高、电压驱动等特点，在光伏逆变器中相较MOSFET具有较大优势，已逐渐取代MOSFET作为光伏逆变器的核心器件。年全球光伏逆变器出货量迅速增长至GW，为IGBT市场空间的拓展提供动力。我们认为，1月板块表现与景气度背离，2月IGBT开启反攻强势上行确认景气度，板块反弹行情有望持续。

2、1月新增装机量大增%，打开市场需求

根据能源局月度调度数据显示，年1月全国新增光伏装机容量7.38GW，同比增长%，预计-年我国年均新增光伏装机量将达到83-99GW。另外，储能方面，随着储能技术的迭代和成本的降低，储能装机量增长速度加速。IHSMarkit报告显示，到年，年度新增并网型储能逆变器规模预计增至10.6GW，储能逆变器的应用进一步打开IGBT市场。

3、国内厂家提速追赶，将加快进口替代

IGBT行业95%市场被国外企业所垄断，国内产品供需严重不平衡，“国产替代”是光伏IGBT行业发展的必然趋势。近年来，以华为、阳光电源为主的本土厂商在光伏逆变器市场持续突破。国内光伏逆变器厂商的快速发展和突出的市场地位为国产IGBT替代带来了显著的区位优势和协同效应。同时，国家政策大力支持IGBT等关键技术实现“自主可控”，IGBT相关企业积极投入研发提速追赶，有望充分受益国产替代加速。