当前位置： 绝缘栅 >> 绝缘栅市场 >> 模块41结场效应晶体管
您将在模块4中学到什么
第4.1节场效应晶体管。
?FETJFET、JUGFET和IGFET
?JFET。
?扩散JFET结构。
?平面JFET结构。
?JFET电路符号。
第4.2节JFET的工作原理。
?捏合下操作。
?夹断以上操作。
?JFET输出特性。
?JFET传输特性。
?JFET视频。
第4.3节增强模式MOSFET。
?IGFET（绝缘栅场效应晶体管）。
?MOSFET(IGFET)结构。
?MOSFET(IGFET)操作。
?MOSFET(IGFET)电路符号。
?MOSFET使用注意事项
第4.4节耗尽型MOSFET。
?耗尽型MOSFET操作。
?MOSFE(IGFET)电路符号。
?MOSFET的应用
?大功率MOSFET
第4.5节功率MOSFET。
?MOSFET计算。
选择MOSFET。
第4.6节MOSFET开关。
?设计和构建典型的MOSFET开关电路。
场效应晶体管尽管场效应晶体管(FET)有很多令人困惑的名称，但基本上有两种主要类型：
1.反向偏置的PN结类型，JFET或JunctionFET，（也称为JUGFET或JunctionUnipolarGateFET）。
2.绝缘栅场效应晶体管器件（IGFET）。
所有FET都可以称为UNIPOLAR器件，因为承载电流通过器件的电荷载流子都是相同类型的，即空穴或电子，但不是两者兼有。这将FET与双极器件区分开来，在双极器件中，空穴和电子都负责任何一个器件中的电流流动。
JFET这是最早可用的FET器件。它是一种电压控制器件，其中电流从SOURCE端子（相当于双极晶体管中的发射极）流向DRAIN（相当于集电极）。源极端和栅极端子（相当于基极）之间施加的电压用于控制源-漏电流。JFET和双极晶体管之间的主要区别在于，在JFET中没有栅极电流流动，通过器件的电流受电场控制，因此称为“场效应晶体管”。JFET结构和电路符号如图1、2和3所示。
JFET结构JFET的构建在理论上可能非常简单，但实际上很困难，需要非常纯净的材料和洁净室技术。JFET以不同的形式制成，一些制成分立（单个）组件，而另一些则使用平面技术作为集成电路。
图4.1.1扩散JFET结构图4.1.1显示了（理论上）使用扩散技术的结FET(JFET)最简单的结构形式。它使用一小块N型半导体板，其中注入两个P型区域以形成栅极。电子形式的电流沿着N型硅通道从源极流向漏极。由于只有一种类型的电荷载流子（电子）在N沟道JFET中承载电流，因此这些晶体管也称为“单极”器件。
图4.1.2JFET平面结构图4.1.2显示了N沟道平面结FET(JFET)的横截面负载电流沿着由N型硅制成的沟道从源极流向漏极。在平面器件中，栅极的第二部分由P型衬底形成。
JFET电路符号图4.1.3JFET电路符号P沟道JFET也可用，其工作原理与此处描述的N沟道类型相同，但电压的极性当然是相反的，电荷载流子是空穴。
请注意，在图4.1.3所示的JFET电路符号中，栅极连接上的箭头始终指向负连接，表示通道的极性（P或N通道）。
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