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作者：DIGITIMES林育中功率器件(powerdevice)是一个大的半导体器件族群，从最早的BJT(BipolarJunctionTransistor，双极性接面晶体管)、GTO(GateTurn-offThyristor，栅关断闸流体)到现在的PowerMOSFET、IGBT(InsolatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管)以及正在加温的SiC(SiliconCarbide，碳化硅)与GaN(GalliumNitride，氮化镓)宽带隙(widebandgap)材质的功率器件都属于此族群。由于以前器件的存在，多是分离式器件(discretedevice)或模块(module)形式，而不是更习见的集成电路封装；其生产工厂多为传统的6吋厂、8吋厂，而使用制程最多止于0.13/0.11微米，因此比较少接受到

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