绝缘栅
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  • [绝缘栅发展]绝缘栅双极晶体管IBGT发明者,获巨 日期:2025/4/22 12:31:50点击:0好评:0

    据报道,年千年技术奖(MillenniumTechnologyPrize)授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加(BantvalJayantBaliga)教授,以表彰其发明了绝缘栅双极晶体管(IBGT)。自20世纪80年代开发以来,IGBT已成为风能

  • [绝缘栅发展]半导体存储四NORFlash篇利 日期:2025/4/20 14:23:59点击:0好评:0

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  • [绝缘栅发展]新能源汽车电控系统的作用是什么 日期:2025/4/20 14:23:30点击:0好评:0

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  • [绝缘栅发展]IGBT绝缘栅型场效应管简易判断识别 日期:2025/4/20 11:40:01点击:0好评:0

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  • [绝缘栅发展]车规半导体研究国产替代东风迅速崛起, 日期:2025/4/10 13:24:18点击:0好评:0

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  • [绝缘栅发展]金风15MW机组SWITCH变流器故障 日期:2025/4/10 13:24:14点击:0好评:0

    某风电场一期项目配备了33台金风GW77/直驱机组,这些机组采用了倍福主控、SWITCH变流器以及SSB变桨系统。自年投产以来,初期机组运行稳定。然而,近年来变流器系统的故障率呈现出上升趋势,特别是变流器过流故障,给维护工作带来了不小的挑战。在此,我们将分享在

  • [绝缘栅发展]变频器的工作原理与多种控制方式详解 日期:2025/4/9 13:02:02点击:0好评:0

    变频器的工作原理详解变频器(Variable-frequencyDrive,VFD)是一种集成了变频技术与微电子技术的电力控制设备。它通过改变电机的工作电源频率,实现对交流电动机的精确控制。变频器内部结构复杂,主要包括整流(将交流电转换为直流电)、滤波、逆变(

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  • [绝缘栅发展]大国重器半导体斯达半导,IGBT领域的 日期:2025/4/9 12:06:08点击:0好评:0

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  • [绝缘栅发展]中国家电雄起纷纷加入造芯大潮,不用担心 日期:2025/4/8 14:42:58点击:0好评:0

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  • [绝缘栅发展]实现国产化替代智新半导体为新能源汽车装上 日期:2025/4/8 14:42:53点击:0好评:0

    近日,在位于武汉经开区的智新科技旗下智新半导体有限公司(简称“智新半导体”),两条自动化IGBT(绝缘栅双极型晶体管)生产线高速运转着,机械手臂上下挥舞,身穿洁净服的研发人员盯着PC端实时数据,仔细检验着每一件下线产品。▲智新半导体IGBT生产车间这些如同半张

  • [绝缘栅发展]车规级IGBT供需高度紧张国产替代浪潮 日期:2025/4/8 13:26:06点击:0好评:0

    北京哪家白癜风医院最好 http://www.mvdtj.com/   在年,市场一直在说全球半导体行业一片寒意,超威半导体(AMD.US)、英特尔(INTC.US)、台积电(TSM.US)、三星电子等巨头不及预期的业绩、大幅缩减的资本开支也都在印证

  • [绝缘栅发展]半导体基础知识全面解析从二极管到功率半导 日期:2025/4/8 13:25:53点击:0好评:0

    二极管在金属与半导体的接触面上,布朗于年发现了整流作用。整流,即通过改变电压施加方向,使电流呈现出有或无的状态,这种元器件便被称为二极管。二极管专为在特定方向上使电流流动而设计,具有显著的整流作用。MOS晶体管这种晶体管以金属-氧化膜-半导体(Metal-Ox

  • [绝缘栅发展]半导体测试系统芯片测试方案ATECLO 日期:2025/4/1 12:54:25点击:0好评:0

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    AEC-Q文件名称是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻译过来是基于失效机制对汽车领域应用中分立半导体器件的

  • [绝缘栅发展]IGBT储能端分析 日期:2025/4/1 12:53:34点击:0好评:0

    北京白癜风最好的医院 http://baidianfeng.39.net/index.html功率电子器件是PCS的核心组成部分,主要实现电能的转换和控制。而IGBT就是最为常用的功率器件,今天我们主要来学习IGBT。什么是IGBT绝缘栅双极晶体管(

  • [绝缘栅发展]SiMOSFET超结MOSFETV 日期:2025/3/30 13:23:49点击:0好评:0

    微碧半导体(VBsemi)最新推出的Si-MOSFET(超结MOSFET)是一款具有优异性能和广泛应用领域的新产品。Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时,漂移层会变厚,导致导通电阻增加

  • [绝缘栅发展]IGBT全线提速爆发功率半导体关键赛道 日期:2025/3/30 13:23:46点击:0好评:0

    最好的白癜风医院 http://pf.39.net/bdfyy/dbfzl/250323/w5vbycy.htmlIGBT是目前功率半导体器件中发展速度最快的技术之一。作为国家16个重大技术突破专项的重点支持对象,IGBT在电力电子行业中的地位堪比“

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