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5月25日，粤港澳大湾区直流背靠背电网工程正式投产！这标志着世界 异同步背靠背工程全面建成。▼点击观看，工程建设历程什么是“异同步背靠背”？不同于以前的纯交流电网，也不同于以往通过直流背靠背将两个电网隔开的异步电网，异同步指的是电网在不同运行状态下呈现的形态。

IGBT市场缺口高达50%安森美已不再接单随着新能源汽车发展，IGBT需求量水涨船高，同时叠加持续一年有余的全球缺芯大背景，车规级IGBT依旧在苦苦挣扎。今年2月，业内已发出预警称，今年下半年IGBT或将成为新能源汽车生产瓶颈所在，其影响可能将超过MCU。如今

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在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？1、什么是MOS管场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效

MOS管英文全称为MetalOxideSemiconductor即金属氧化物半导体，即在集成电路中绝缘性场效应管。确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上 化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可

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电驱动系统可包括“大三电”及“小三电”总成系统，其中大三电包括：驱动电机、驱动电机控制器、变速器；小三电则一般包括：高压配电盒PDU、车载充电机OBC和DC/DC变换器。本文主要介绍新能源汽车“大三电”及“小三电”概述。基础概念1.概述作为新能源汽车的“心脏”

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揭秘IGBT功率半导体的行业格局、趋势、壁垒和竞争格局。编辑智东西内参IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗

昨（21）日，本土功率器件供应商士兰微电子宣布了 的投产计划。根据公司发布的公告显示，士兰微12吋芯片生产线正式投产。该项目由厦门士兰集科微电子有限公司负责实施运营，总投资亿元，建设两条以MEMS、功率器件为主要产品的12英寸集成电路制造生产线。据悉，厦门12

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10.2.2横向漂移区10.2单极型器件漂移区的优化设计第10章　功率器件的优化和比较《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》代理产品线：1、国产AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera选型说明2、国产MCUPtPSTMcu、GDMcu，引脚亦可

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半导体产业网讯：国内碳化硅器件研发企业“清纯半导体”日前发布国内 15V驱动的VSiCMosfet碳化硅器件平台产品，可直接实现SiC器件的国产替代，同时具备高可靠性、兼容IGBT驱动电压等优势，填补了国内15V驱动SiCMosfet产品空白。据悉， V75m