IT之家3月11日消息，据比亚迪半导体官方发布，最新推出了SOT-封装IGBT/二极管系列模块。

半导体行业的技术发展方向可归纳为更高的功率密度、开关频率，以及更小的导通压降、开关损耗、芯片尺寸、模块体积。SOT-封装介于单管和模块之间，M4螺丝法兰底板安装4个引出端口，属于内绝缘封装的一种，常用来封装IGBT、各类二极管、MOSFET等。

比亚迪半导体针对该封装确认了一单元和二极管两种开发方向：

SOT-封装IGBT模块是目前功率半导体系列化开发方向之一，小体积与特有的一单元设计使得其具有较高的灵活度，可以自由搭配电路拓扑，因此在应用于空间要求高或结构布局特殊的拓扑时具有特别的优势，也极大地方便了安装及应用。

该产品为比亚迪自主IGBT芯片，采用标准封装，兼容市场主流尺寸。优化DBC布局设计，降低采样信号干扰。封装体积小，安装方便。可根据客户需求自由搭配拓扑电路。应用领域包括UPS电源，变频、伺服，光伏储能等。

SOT-封装二极管系列模块同样是功率半导体系列化开发方向之一，目前正广泛应用于车载OBC（IT之家注：为车载动力电池充电电力电子装置，即车载充电器）系统，后续会向焊机低压充电器等行业方向发展。因其体积小、易安装等特点而正在逐步被市场接受和认可。

该产品为比亚迪自主IGBT芯片，采用标准封装，兼容市场主流尺寸。正向压降低，效率高封装体积小，安装方便可根据客户需求自由搭配拓扑电路。应用领域包括OBC、焊机、感应加热等。

未来比亚迪半导体也会推出更多产品型号，致力于覆盖全电压、电流的IGBT一单元和二极管模块产品。

IT之家备注：

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（BipolarJunctionTransistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MetalOxideSemiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（GiantTransistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。