在诸多能源消费场景正在经历的电动化浪潮中，功率半导体的关键性地位空前凸显，特别是IGBT（绝缘栅双极晶体管），凭借其BJT和MOSFET相结合的器件结构，兼顾了高开关速度与高击穿电压特性，自上世纪八十年代发明至今，在产业界得到广泛应用，已经成为当前功率半导体中增速最快、利润最高的细分品类之一。

为揭示国内外IGBT市场整体面貌和中国IGBT产业链的发展现状，集微咨询隆重推出《年中国IGBT市场研究报告》。通过对IGBT行业与市场的详细分析，对国内IGBT产业链的扎实梳理，集微咨询（JWInsights）解读了IGBT产业发展路径，并展望了国内IGBT产业的突破重点。

在约亿美元的全球功率器件市场大盘中，IGBT目前占据第二位市场份额，增长则最为强劲。据集微咨询（JWInsights）统计，年全球IGBT市场规模约达76亿美元，同比增长19%。预计年全球IGBT市场规模有望以13%的增速增长，达86.2亿美元。

从IGBT下游应用看，根据集微咨询（JWInsights）统计，随着以中国市场为代表的新能源汽车消费持续高速增长，车用IGBT市场份额占比在年已经超过工控，达到39.7%，成为IGBT下游应用最大市场，预计到年份额有望进一步增长至接近50%。与此同时，年风光储市场需求也十分旺盛，集微咨询（JWInsights）预计，未来几年风光储IGBT需求增速将有望超过汽车，市场份额逐年提升，年提升至9.6%。

集微咨询（JWInsights）统计，在新能源汽车、风光储市场带动下，中国IGBT市场呈现结构性快速增长态势。年中国IGBT市场总规模达.9亿元，预计年市场总规模有望达.1亿元，CAGR（-25）为13.3%。其中，新能源汽车、风光储领域IGBT表现出强劲的增长趋势，轨交和家电IGBT市场出现下滑。

在本土产业链发展上，由于IGBT芯片、模块制造工艺复杂度较高，我国IGBT行业国产化率较低，年及以前约八九成产品均需要进口，近几年随我国技术不断投入发展，行业自给率也在缓慢提升，据集微咨询（JWInsights）统计，年整体IGBT国产化率提升至约30%-35%，依然存在较高的国外依存度。

市场格局上，英飞凌、富士电机、三菱等海外厂商在IGBT市场拥有明显优势地位。IGBT单管和IGBT模块领域，Top3市场占有率均超50%；IPM领域，三菱占领先地位，占有率约达30%。英飞凌、三菱电机、ABB等国外厂商基本覆盖V-V全系列电压，在V以上中高压领域具有绝对优势，英飞凌、赛米控、安森美在V以下具有优势；而国内厂商基本集中在中低压领域，时代电气和斯达半导已经有高压V及以上的产品应用。

目前中国IGBT行业已经能够具备一定的产业链协同能力，但国内在IGBT制造工艺水平、模块封装的散热效率上与国外英飞凌等厂商存在一定差距。

受益于我国新能源汽车、风光储等新兴产业的快速发展，为我国车规级IGBT厂商带来良好发展机遇，国产应用进程正在加速。据集微咨询（JWInsights）统计，年车规IGBT厂商国内市占率已从年32%提升至约45-50%。年比亚迪半导体、斯达半导、时代电气市占率最高，士兰微、华润微、宏微科技等多家企业均已实现批量出货；而在风光储市场，目前大部分主流光伏逆变器厂商IGBT供应商仍以国外大厂为主，据中国光伏行业协会数据，年光伏IGBT国产化率约达到10%，新洁能、宏微科技、扬杰科技、华微电子等光伏IGBT均已实现批量出货。

展望未来，集微咨询（JWInsights）提出，IGBT经历七代升级不断优化，将继续朝着高功率密度、高可靠性、低损耗、优良散热等方向发展；下游需求上，新能源汽车依旧为第一大应用市场：新能源汽车IGBT市场有望从年.5亿元增长至年.4亿元，CAGR（-25）达21.4%；SiC已逐步在新能源汽车领域率先应用，预计未来几年SiC产品将与硅基IGBT和谐共存，共同推动汽车产业升级发展。

目前，《年中国IGBT市场研究报告》已在爱集微

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