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如需报告请登录。（报告原文94页，近5万字，无法全文展示，以下内容为精简内容。）报告综述：1.半导体晶圆制造产能向中国转移，国内半导体制造材料迎来发展机遇半导体制造材料包含硅片、光刻胶、光掩膜、溅射靶材、CMP抛光材料、湿化学品、电子特气、石英材料等。近年来，

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SSD的性能不单取决于主控，闪存颗粒也会影响SSD的实际性能，并且闪存的质量也会影响SSD的速度、性能和使用寿命。所以用户购买SSD时，为避免踩坑，有必要深入了解下SSD闪存颗粒即NANDFlash的相关知识。一、NandFlash基本概念NANDFlash全

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来源：内容由半导体行业观察（ID:icbank）原创，作者：李寿鹏，谢谢。滚烫的手机，温度过高而死机的电脑，这些问题时常困扰着广大的使用者们，这背后的原因多半要归咎于芯片过热。实际上芯片的发热问题不仅造成了使用上的不便，也给生产者们带来了巨大的技术成本，并限制

张国斌IBM今天发布2nm芯片制造技术，声称这是世界首创，该工艺可以将亿个晶体管集成到指甲大小的芯片上，这将实现 的半导体制造工艺密度，即每平方毫米3.33亿个晶体管（如果一个指甲的尺寸为平方毫米）。该公司表示，技术可以使芯片速度比今日许多笔记本电脑及手机所使

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IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既有MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、

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近半个世纪前，在功率半导体器件领域，半导体硅材料一直“独唱主角”，硅基超大规模集成技术对硅功率器件的发展产生了重大影响。然而，随着功率领域对小型化、高频、高温、高压和抗辐照特性的迫切需求，硅基功率器件达到了理论极限，第二代半导体材料砷化镓（GaAs），以及以碳