国产IGBT芯片崛起，自给率已高达60%，4年减少对欧美依赖4年内，国产IGBT芯片国产化，国内自给率达60%以上，实现对欧、美等国家的依赖。功率电子技术中的一颗明珠，IGBT芯片，为何被称作现代电力装置的CPU？从消费类电子产品到工业设备，再到新能源汽车，几
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6月22日，比亚迪官方正式宣布，旗下全新车型将定名为“海豚”。该车最早于上海车展首发亮相，同时其也是比亚迪基于e平台3.0打造的首款车型。据悉，新车未来将推出4款配置车型，包括越野版、天使版、时尚版以及赛车版，而未来将在比亚迪e网进行销售。EA1整车造型设计由
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金融界年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，江苏稻源科技集团有限公司申请一项名为“一种低接触电阻有机薄膜晶体管及其制备方法”的专利，公开号CNA，申请日期为年11月。专利摘要显示，本发明公开了一种低接触电阻有机薄膜晶体管及其制备方法，涉及有机半导体技术领域
场效应管的分类、结构以及原理场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管，是较新型的半导体材料，利用电场效应来控制晶体管的电流，因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从
本文旨在深入探讨半导体器件的工作原理，特别是功率半导体如MOS晶体管、功率型MOSFET及IGBT的工作原理与特点。我们将从开关作用的角度出发，详细剖析这些器件的运作机制。首先，我们将概述MOS晶体管的基本原理，这是理解功率半导体功能的关键一环。接着，我们会深
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晶闸管(Thyristor)，也称为可控硅，是一种广泛应用于电力电子设备中的半导体器件。它以其独特的电流控制特性在电子电路中扮演着重要角色。本文将详细解读晶闸管的工作原理、特性以及如何区分电流型和电压型器件。一、晶闸管的基本工作原理晶闸管由四层半导体材料(P-
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日前，我们从官方获悉，比亚迪IGBT项目在长沙正式动工。据悉，该项目总投资10亿元，将建成年产25万片8英寸新能源汽车电子芯片生产线，投产后可满足年装车50万辆新能源汽车的产能需求。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)学名叫
来源：网络01IGBT的壁垒功率分立器件的演进路径基本为二极管-晶闸管-MOSFET-IGBT，其中，IGBT是功率半导体新一代中的典型产品。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管
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UCCA1QDGNRQ1是德州仪器（TI）推出的一款栅极驱动IC，专为驱动金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型功率管（IGBT）电源开关而设计。作为UCCx系列的一员，它具备双通道、高速和低侧驱动的特点。UCCA1QDGNRQ1UCCA1
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半导体分立器件行业竞争格局、市场规模预测、发展趋势、国产化率半导体产品按照结构和功能不同可以划分为半导体分立器件和集成电路。半导体分立器件是指具有单独功能且功能不能拆分的电子器件，主要功能为实现各类电子设备的整流、稳压、开关、混频、放大等，是电子装置电能转换与
