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是一款常见的金氧半场效晶体管（MOSFET），广泛应用于各种模拟电路与数字电路中。最大耗散功率为（mW）。mos管由沟槽加工技术设计而成实现极低的导通电阻。并快速切换速度和改善转移有效。这些功能结合使这个设计非常有效和适用于各种DC-DC应用的可靠设备。mos管特征：种类：绝缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：V-FET/V型槽MOS封装外形：SMD(SO)/表面封装材料：N-FET硅N沟道开启电压：20（V）夹断电压：60（V）最大漏极电流：（mA）最大耗散功率：（mW）骊微电子经销的：场效应MOS管、二三极管、IC电子元器件品种齐全、价格合理，提供电源领域相关软硬件设计服务，提供方案设计、生产、客诉等一条龙技术服务，系统解决客户技术后顾之忧。

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