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微碧半导体(VBsemi)最新推出的Si-MOSFET(超结MOSFET)是一款具有优异性能和广泛应用领域的新产品。Si-MOSFET根据制造工艺可分为平面栅极MOSFET和超结MOSFET。平面栅极MOSFET在提高额定电压时,漂移层会变厚,导致导通电阻增加的问题。而超结MOSFET通过在D端和S端排列多个垂直pn结的结构来解决这个问题,实现了在保持高电压的同时降低导通电阻。
超结MOSFET的优势在于其具有高耐压和低电阻的特点。相较于普通高压VDMOS,超结MOSFET的导通电阻远小,适用于高能效和高功率密度的快速开关应用。此外,超结MOSFET的额定电压越高,导通电阻的下降越明显,使其在中低功率水平下的高速运行非常适合。
超结MOSFET的制造工艺相较于常规MOSFET更加复杂,主要体现在沟槽的填充外延制造方法上。超级结MOSFET通过使沟槽和沟槽间距尽可能小和深,设计具有较低电阻的N层,实现了低导通电阻产品。
超结MOSFET相较于平面MOSFET具有更大的pn结面积,因此在内部二极管的反向电流和反向恢复时间方面存在一些问题。虽然超结MOSFET的trr比平面MOSFET快,但irr电流更大。
以下是Si-MOSFET的常规制造工艺和超结制造工艺的对比:
此外,Si-MOSFET还与其他器件进行了功率和频率的比较,如IGBT、碳化硅MOS、平面/超结MOS等。
微碧半导体的Si-MOSFET系列产品以其先进的生产工艺、优良的性能和可靠的质量在各个领域得到广泛应用。Si-MOSFET适用于电源、电机控制、照明等领域,特别适合于中低功率水平下的高速运行需求。
以下是Si-MOSFET的一些关键特点和优势:
高耐压:Si-MOSFET具有高额定电压,能够在高压环境下稳定工作。
低导通电阻:Si-MOSFET的导通电阻远小于传统平面MOSFET,能够提供更高的效率和功率密度。
高速开关:Si-MOSFET的超级结结构使其具有快速开关特性,适用于高频率应用。
可靠性:Si-MOSFET的产品质量可靠,性能稳定,适用于各种严苛的工作环境。
微碧半导体Si-MOSFET系列产品将在慕尼黑上海电子展上进行展示。展会将于年7月11日至13日在上海国家会展中心举行。此次将展示其最新的Si-MOSFET产品系列,包括SJ-MOSFET、SGT-MOSFET、平面和沟槽工艺的MOSFET和IGBT等。
作为一家国家级高新技术企业,微碧半导体致力于推动半导体器件技术的发展,并为客户提供创新的解决方案。
因此,我们诚挚地邀请新老客户前往慕尼黑上海电子展7.2H-A参观微碧半导体的展位。了解最新半导体器件技术和趋势。这将是一个了解行业发展前景的绝佳机会。期待您的光临!