近年来，有关方面对中国半导体产业的封锁力度越来越大，甚至不惜用国家力量打压一个中国企业。

受此影响，国内芯片领域化压力为动力，加速展开对整条芯片产业链的攻关。日前，一款国产芯横空出世，历时4年攻克4大技术瓶颈，打破了国外垄断。

7月14日，国资委向全社会发布了《中央企业科技创新成果推荐目录（年版）》，共计8个领域、项科技创新成果。

其中，就包括全球能源互联网研究院有限公司研发的，福特绝缘栅双极型晶体管芯片和模块。

所谓绝缘栅双极型晶体管芯片，指的是业内常常提及的IGBT芯片。IGBT芯片是能源变换与传输的核心器件，号称“电子电力装置的CPU”。

公开资料显示，IGBT芯片具有高输入阻抗和低导通压降两大优点，被广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天以及电动汽车等领域。

由于种种原因，国外一直垄断着高压IGBT芯片的核心技术。

尽管不少中国企业在尽力冲破封锁，但多年来国产高压IGBT芯片都面临着发展坚固性差、可靠性低、大尺寸晶圆掺杂均匀性和稳定性差、封装设计体系以及工艺能力不足这四大技术瓶颈。

为了研发出合格且优质的面向电力系统应用的高压IGBT器件，联研院团队牵头承担起“柔性直流输电装备压接型定制化超大功率IGBT关键技术及应用”这项国家重点研发计划项目。

据联研院功率半导体研究所所长吴军民透露：该公司团队还专门成立了青年突击队，利用理论分析、仿真设计与实验验证相结合的方式，针对性研制面向电力系统应用的高关断能力IGBT芯片。

经过团队长达四年的努力，终于攻克并掌握了多项技术难题，实现了“IGBT芯片的通态降压、关断损耗和过电流关断能力的综合优化”，令国产IGBT芯片达到了国际先进水平。

据公司项目负责人金锐表示：在未来，公司自主研发的高压IGBT芯片和模块会被推广和应用到海上柔性直流输电、统一潮流控制器等领域。

既能够支撑起我国“双高”电力系统的建设，又能够助力国家实现“碳达峰碳中和”的目标。

文/谛林审核/子扬校正/知秋