先进工艺的半导体芯片研发投资越来越高，未来的5nm工艺芯片研发耗资需要5.4亿美元，3nm工艺就更烧钱了，工艺研发就需要40-50亿美元，晶圆厂建设需要亿美元。在半导体制造中，3纳米工艺是继5纳米MOSFET技术节点之后的下一个芯片缩小。截至年，三星和台积电已宣布计划将3nm半导体节点投入商业生产。

三星同样押注3nm节点，进度及技术选择都很激进，三星将淘汰FinFET晶体管，直接使用GAA环绕栅极晶体管。根据三星的信息，相较于7nmFinFET工艺，3nm工艺可以减少50%能耗、增加30%性能。三星计划年量产，疫情影响已推迟到年，但没有明确具体时间。去年，三星的FoundryForum活动中强调了先进封装的重要性；今年，三星的FoundryForum则将重点放在了先进制程的进度上。就此，我们也能够很明显地感受到，三星与台积电之间的竞争越发激烈。

而厂商之间的竞争，本质上是为了延续摩尔定律。而摩尔定律的续命关键就是让晶体管结构从FinFET走向GAA。晶体管在芯片中起到“开关”作用，能通过影响相互的状态传递信息。晶体管的栅极控制着电流能否从源极流向漏极，电子流过晶体管相当于“开”，电子不流过晶体管相当于“关”。随着晶体管尺寸缩小，源极和栅极间的沟道不断缩小，当沟道缩短到一定程度时，即便不加电压，源极和漏极也因间距过小而互通，即产生“漏电”现象，晶体管则失去“开关”的功能，无法实现逻辑电路。

英特尔在年转向22nmFinFET。FinFET的立体构造将漏极和源极由水平改为垂直，沟道被栅极三面环绕，不仅增厚绝缘层，而且增加接触面积，避免漏电现象的发生。相比平面晶体管，FinFET在工艺节点减小时，能做到更好的性能和电压缩放，切换速度和电流密度均显著提升。而随着深宽比不断拉高，FinFET逼近物理极限，为了制造出密度更高的芯片，环绕式栅极晶体管（GAAFET，Gate-All-GroundFET）成为新的技术选择。

总而言之，纵观全球半导体制程玩家，目前仅剩三足鼎立：英特尔、三星和台积电。而其中真正卯着劲在攻坚3nm的，其实只有三星和台积电两家而已。从市场份额来看，台积电暂时领先。