金融界年12月1日消息，据国家知识产权局公告，京东方科技集团股份有限公司取得一项名为“薄膜晶体管、薄膜晶体管制备方法和阵列基板“，授权公告号CNB，申请日期为年8月。

专利摘要显示，本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法和阵列基板。该薄膜晶体管包括设置在衬底上方的栅极、有源层、源极和漏极，所述有源层位于中心区域，所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接，所述栅极与所述有源层至少部分同层设置、且所述栅极与所述有源层至少两面相隔绝缘层相对设置。该薄膜晶体管的宽长比Weff/L增大，从而有效提高了器件的开态电流Ion，提高了氧化物薄膜晶体管电流驱动能力；另外，还考虑了电极对有源层的遮光效果，最大限度的减小了光照对器件V影响。

本文源自：金融界

作者：情报员