IGBT联盟第四届国际学术论坛株洲举行湖南省制造业创新中心揭牌华声在线11月6日讯(湖南日报·华声在线记者邓晶琎通讯员易永彤)今天，湖南省功率半导体产业对接会暨中国IGBT技术创新与产业联盟(以下简称“IGBT联盟”)第四届国际学术论坛在株洲举行。中国科学院院士陈星弼、中国工程院院士丁荣军、中国工程院院士汤广福等国内外专家、IGBT产业链上下游企业代表近人参会。当天，湖南省制造业创新中心在株洲揭牌。IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种新型功率半导体器件的主流器件，已广泛应用于工业、计算机、航空航天、国防军工、轨道交通、新能源汽车等产业。我国于年成立IGBT联盟，旨在整合国内IGBT领域资源，推动我国电力电子技术，特别是IGBT技术与产业化发展。本届论坛上，陈星弼、汤广福两位院士和行业专家代表，从国际技术水平、IGBT产业发展机遇与挑战、IGBT在不同应用领域等方面展开学术交流，共同探讨全球IGBT技术与产业发展趋势，谋划进一步推动我国IGBT技术创新及产业化对策。据介绍，我省正加快发展IGBT等新兴优势产业链。当天，湖南省制造业创新中心在株洲揭牌。该中心致力于打造国家级创新平台，将展开功率半导体产业技术研发及产品开发，面向行业联盟与产业链上下游提供设计、检测等技术服务，开展国际交流和合作等。

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