绝缘栅

为什么MOSFET和IGBT特性不同广

发布时间:2024/12/18 16:14:00   
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场效应管是上世纪50年代在贝尔实验室发明的,今天你的电脑CPU里面就是上亿个这玩意儿。IGBT是Prof.Baliga发明的大功率器件,他正指望靠IGBT拿炸药奖。这些都是半导体工业的里程碑,今天到处都在用,却没人认真细究其区别与原理。

我们都知道,场效应管包括MOSFET,JFET等通常可以用于更高频的应用场合,其特性更类似于一个电阻即导通电阻。而晶体管一类的功率半导体,如IGBT,相对频率更低,电流更大,但是存在一个导通的前向电压。为什么会出现这种情况?下面我们来分析一下。以下仅仅是我个人的理解,欢迎讨论。

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首先回顾一下基础知识

我们知道本征半导体是不导电的,好比纯水的导电性不强,想要它导电,就掺上杂质。让水导电就给他加盐,产生离子,让半导体导电,就掺上三价或者五价元素,形成空穴或者电子。

如果把P型和N型半导体放在一起,就形成了PN结。由于P型半导体多空穴,N型多电子,天之道损有余而补不足,所以,电子会从N一侧自行扩散到P一侧,这叫做扩散作用。这时就形成一个电场,方向是N到P,它会把电子拉拽回来,这叫做漂移作用。两个之间在某种程度上达到了平衡,中间形成那一小部分带电场的区域,叫做耗尽层Depletionregion。由于耗尽层中,电子都已经进了空穴,所以好比水里面的离子被固定住了,因此耗尽层不导电。

想要PN结导通,就让其正偏,抵消掉耗尽层中的电场,这样,电子又可以愉快地流动,扩散作用被成功解锁开。这部分解锁电压就是二极管的门限电压。但是由于这个结正反偏时,会有一定充电效果,可以等效成一个非线性的电容,因此带PN结的器件,是有最高工作频率的,再高它就不能阻断电压了。这很容易理解,因为电容不能阻隔交流电压。

基本知识补充完毕,我们来看看场效应管的结构。

1.下面是一个N沟道JFET的结构。

它中间原本就是有一整块N型半导体的,所以,不加任何电压时,它就是导通的。想要它关断怎么办?那我就在栅极和源级之间加上负电压,这样,这个耗尽层就会增大,我们知道耗尽层没有自由电子空穴,所以他就不再导电。好比你慢慢捏你的鼻子,捏到两边贴一起你就不能呼吸了。这就是为什么JFET是常通器件,很多固态断路器就用JFET。

MOSFET是怎么实现常闭的呢?这是一个简单的平面型N沟道MOSFET结构,需要注意的是,图中是水平结构的MOSFET,通常用在CMOS等小功率器件上,而功率MOSFET为了增大电压,通常采用垂直结构,也就是通常说的VDMOS。可以看出,它是不能导电的,因为被右边的PN结阻断了。要怎么导通呢?

在G和S之间加上正向电压,同时,把P型半导体的底部(即基极,base)和S极连在一起。由于G和P之间,有一层由二氧化硅构成的绝缘层,因此,在G上面加正电,对应的就会在P半导体上感应出一层电子,这层电子就构成了N型导电沟道。这里有一个trick,一般来说,这层二氧化硅(GOX)越厚,门极越不容易击穿,管子质量越好。而D极和S极也是靠电子导电,因此,整个MOSFET就导通了。我们都知道,Vgs越高,通常电阻越小,原因就在这里:Vgs越高,感应出来的电子就越多。

3.由于MOSFET和JFET在导电时,中间没有一层PN结,所以,它们的特性就像一块电阻。而三极管类型的,它是两个反接的PN结,所以,在导通时,必须先克服一个PN结的内电场,所以,一般IGBT,BJT都会有一定的前向电压。前面分析过,由于PN结电容的存在,所以IGBT和BJT的频率一般没有场效应器件高。

4.为什么MOSFET反接后,特性像个二极管?如图所示,就非常明确了,自然形成了一个正偏PN结,这就是体二极管。同理,当你加上正向Vgs,导电沟道形成后,即使反向导通,电流会选择走电压更低的导电沟道通路,因此反向导通时,加上Vgs可以让导通压降减小,这就是为什么LLC,移相全桥一类含有整流器的拓扑和图腾柱PFC,希望能做同步整流提高效率。

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来看看IGBT的结构

它的工作原理,可以按照上面的方法去分析。等效图可以看出,IGBT有一个三极管串联MOSFET,因此,三极管的这个PN结就带来了前向电压,结电容也带来了更大的开关损耗。但是不同于MOSFET,MOSFET导电的只是沟道部分,IGBT的导通区域更大,可传导电流更多,因此,IGBT通常用于大功率中低频率场合。另外,反向电压时,这部分电压加在了PNP上,所以,IGBT不自带体二极管,而且一般不能承受较高的反向电压,需要外面自接一个反并联二极管增强反向导通能力。

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