G：gate，即栅极；S：source，即源极；D：drain，即漏极。在N沟道MOS管中，电源通常接在D端，而输出则接在S端。对于P沟道MOS管，电源则接在S端，输出接在D端。这两种沟道的增强耗尽接法基本相似。

此外，我们提到的MOS管热释电红外传感器，其矩形框部分为感应窗口，而G脚作为接地端，D脚则是内部MOS管的漏极，S脚为内部MOS管的源极。在电路连接时，G脚接地，D脚接电源正极，红外信号通过窗口输入，电信号则从S脚输出。判断栅极G时，MOS驱动器主要发挥波形整形和增强驱动的功效。若MOS管的G信号波形不够陡峭，会导致切换阶段电能损耗增加，进而降低电路转换效率，甚至可能因过热而损坏MOS管。GS间存在的电容要求G信号驱动能力充足，否则会影响波形跳变的速度。

判断时，可将G-S极短路，选择万用表的R×1档，将黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应显示为几欧至十几欧。若发现某脚与其它两脚的电阻均为无限大，且交换表笔后仍为无限大，则可确定此脚为G极，因为它与另外两个管脚是绝缘的。

接下来判断源极S和漏极D。将万用表拨至R×1k档，分别测量三个管脚之间的电阻。采用交换表笔法进行两次测量，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次表示正向电阻，此时黑表笔所接为S极，红表笔所接为D极。请注意，由于测试条件差异，测得的RDS（on）值可能会比手册中给出的典型值稍高。关于MOS管，我们首先需要了解其基本类型。晶体管中的N型channel使其被称为N-channelMOS管，简称NMOS。同时，也存在P-channelMOS管，即PMOS，它是由轻掺杂的N型BACKGATE与P型source和drain共同构成。无论是N型还是P型MOS管，其工作原理在本质上都是相同的。

MOS管的核心工作原理是通过在输入端栅极施加电压来控制输出端漏极的电流。作为一种压控器件，MOS管通过调整栅极电压来改变其特性，而不会出现像三极管在开关状态下可能出现的因基极电流引发的电荷存储效应。因此，在开关应用中，MOS管的切换速度通常比三极管更快。场效应管（FET）得名于其独特的输入端设计，该输入端被称为gate，它通过在绝缘层上投影电场来调控晶体管中的电流。值得一提的是，绝缘体中并无电流流过，这使得FET的GATE电流保持极低水平。最常见的FET采用一层薄二氧化硅作为GATE极下的绝缘材料。这种类型的晶体管被称为金属氧化物半导体（MOS）晶体管，或金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。由于MOS管具有尺寸小、功耗低的优点，它们已在众多应用中逐步取代了双极型晶体管。