功率场效应管（PowerMOSFET），也被称为电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件。它具备自关断能力，驱动功率低，开关速度快，无二次击穿，且安全工作区宽广。正因如此，它特别适用于高频化电力电子装置，例如DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车电子电器等众多领域。然而，由于其电流和热容量较小，耐压水平较低，因此通常仅适用于小功率电力电子装置。

电力场效应晶体管有多种类型和结构，其中P沟道和N沟道是按导电沟道划分的，同时还有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置的实际应用中，N沟道增强型晶体管占据主导地位。

电力场效应晶体管的导电机理与小功率绝缘栅MOS管相似，但结构上却存在显著差异。小功率绝缘栅MOS管通过一次扩散形成，其导电沟道平行于芯片表面，实现横向导电。而电力场效应晶体管则多采用垂直导电结构，这种结构有效提升了器件的耐压和耐流能力。根据垂直导电结构的不同，电力场效应晶体管又可分为V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET两种类型。

此外，电力场效应晶体管还常采用多单元集成结构，一个器件由众多小的MOSFET单元组成。图(a)展示了一个N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管的单元部面图，而图(b)则给出了其电气符号。电力场效应晶体管具有三个端子：漏极D、源极S和栅极G。在默认状态下，当漏极连接至电源正极，源极连接至电源负极时，栅极与源极之间的电压为0，导致沟道不导电，从而使晶体管处于截止状态。然而，若在栅极和源极之间施加一个正向电压UGS，且该电压大于或等于晶体管的开启电压UT，晶体管将进入导通状态，并在漏极和源极之间产生电流ID。值得注意的是，UGS超过UT的幅度越大，晶体管的导电能力就越强，从而使得漏极电流ID更大。