金融界年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，广州粤芯三期集成电路制造有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、绝缘栅双极型晶体管”的专利，公开号CNA，申请日期为年11月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、绝缘栅双极性晶体管，半导体结构的制备方法包括：提供基底，所述基底包括半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的介质层；于所述基底上形成由所述介质层延伸至所述半导体衬底的接触孔，所述接触孔的尺寸大于预设尺寸于所述接触孔的底部和侧壁形成粘附层；于所述粘附层远离所述基底的一侧循环沉积阻挡层；对所述粘附层进行热处理，以使得所述粘附层与所述衬底反应形成金属硅化物。采用本申请的半导体结构的制备方法可以降低器件接触电阻，还可以避免热处理过程中在接触孔的侧壁产生的裂纹的情况发生，提高了器件性能。

天眼查资料显示，广州粤芯三期集成电路制造有限公司，成立于年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本万人民币，实缴资本万人民币。通过天眼查大数据分析，广州粤芯三期集成电路制造有限公司参与招投标项目18次，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可78个。

本文源自：金融界

作者：情报员