甚么是IGBT？

IGBT是“InsulatedGateBipolarTransistor”的首字母缩写，华文称呼是“绝缘栅双极晶体管”。经过贯串MOSFET和双极晶体管，IGBT成为同时具备这两种器件长处的功率晶体管。IGBT有N沟道型和P沟道型两种，本文中以现在干流的N沟道型为例敞开讲解。

N沟道IGBT的电路图标记及其等效电路以下。有些等效电路图会更详细一些，但这边为了便于明白，给出的是相对容易的示妄念。包罗布局在内，现实的产物会更繁杂一些。相关布局等的详细体例将在后续文章中讲解。

IGBT具备栅极、集电极、发射极3个引足。栅极与MOSFET雷同，集电极和发射极与双极晶体管雷同。IGBT与MOSFET相同经过电压管制端口，在N沟道型的情形下，关于发射极而言，在栅极施加正电压时，集电极-发射极导通，流过集电极电流。咱们将另行讲解其办事和启动办法。

前方曾经讲解过，IGBT是贯串了MOSFET和双极晶体管长处的晶体管。MOSFET由于栅极是断绝的，是以具备输入阻抗高、开关速率较快的长处，但弱点是在高电压时导通电阻较高。双极晶体管纵使在高电压前提下导通电阻也很低，但存在输入阻抗低和开关速率慢的弱点。经过补偿这两种器件各自的弱点，IGBT成为一种具备高输入阻抗、高开关速率*、纵使在高电压前提下也能完结低导通电阻的晶体管。　

*开关速率比MOSFET慢，但比双极晶体管快。

IGBT和MOSFET等功率器件按照运用产物的运用前提和需要，物善其用，在与其相适当的运用中被分辨运用，譬如在高电压运用中运用IGBT，在低电压运用中则运用MOSFET。IGBT的实用范畴和运用范畴将在后续文章中举行讲解。

关键重心

?IGBT是“InsulatedGateBipolarTransistor”的缩写，华文称呼是“绝缘栅双极晶体管”。

?IGBT是经过贯串MOSFET和双极晶体管，同时具备了这两种器件长处的功率晶体管。

?IGBT的根基特性是高输入阻抗、高开关速率、纵使在高电压前提下也具备低导通电阻。

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