前面我们讲了场效应管的外形这一章我们讲关于场效应管的工作原理，需要主要的方面。

场效应管是电压型控制元件，三极管是电流型控制元件，相对三极管来讲，场效应管更省电，随着制造工艺的发展，场效应管在手机的应用越来越多。

1，结型场效应管的I作原理

以N型沟道结型场效应管为例，在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来，称为栅极G。这样就构成了N型沟道的场效应管。

由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN结基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区图中可见，当漏极电源电压Ep一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区域厚，则漏极、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流I就愈小；反之，栅极电压没有那么则沟道变宽，I变大，所以用栅极电压。可以控制漏极电流ID的变化，也就是说，场管是电压控制元件。

（2）绝缘栅型场效应管的工作原理

以N沟道耗尽型绝缘栅场效应管为例，绝缘栅型场效应管是由金属、氧化物和半导组成，所以又称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。它的结构、电号如图3-75所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，为源极S和漏极D。在硅片表面覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅端由于栅极与其他电极绝缘，所以称为绝缘栅型场效应管。

在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在Vos=0时也有大的漏极电流Jp。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄随之而变，因而漏极电流Ip随着栅极电压的变化而变化。

场效应管的工作方式有两种∶当测压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

在手机中，场效应管主要应用在控制电路中，一般控制负载的工作或信号的输出，由于是电压控制型器件，使用要比三极管省电。