有人电磁加热器IGBT逆变电路特性及温度保护是什么？今天来介绍一下电磁加热器，首先介绍一下电磁加热器IGBT逆变电路特性。

一、电磁加热器IGBT逆变电路特性

IGBT((nsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管，是绝缘栅型场效应管MOS和BJT(双极型三极管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它不仅有GTR特点：低导通压降，也有MOSFET的特点：高输入阻抗，两方面的优点。MOSFET的特点：开关速度快，驱动能力小，载流密度小，但导通压降大；GTR的特点：载流密度大，饱和压降低，但驱动电流大。IGBT正是集中了以上两种器件的优点。因此该器件十分适合应用于直流电压为V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

要使管导通，则应在此管的栅极G和发射极E之间加上导通电压，这样PNP晶体管的基极B与集电极C之间的阻抗值的大小将变得比较低，晶体管就得以导通；若要使此管截止，切断此管E端的电流，则要在IGBT的发射极和栅极之间加上0V电压。IGBT与场效应管样也是电压控制型半导体器件，而且此晶体管的驱动电流很小，只要在它的G极和E极之间加上十几伏的电压，然后当漏电流流过时就可以驱动，基本上不消耗功率。

当加在IGBT的G端与E端的驱动电压比较低时，则此芯片就不能正常的运作，但当加在芯片上的电压过高超过它的耐压值时，则芯片将被永久性破坏；同理，当加在芯片的C端与E端的电压过高，超过它的耐压幅值时，此时流过芯片C端一E端的电流就将超过允许电流的最大值，芯片工作的温度将超过其允许的温度，芯片也将被永久的破坏。

二、电磁加热器温度保护

温度保护也就是功率模块的过热保护。IGBT工作时的开关损耗会引起器件温度的升高，当温度超过IGBT的允许最高温度时，电子器件的许多性能和参数也会随之改变，甚至温度过高会损坏这些元器件。如果在温度达到最高值之前将其关闭，使元器件的温度不在上升，则就可以起到保护作用。在保护电路中，我们使用到热敏电阻传感器，在检测温度过程中，单片机会随时读取温度，当检测到的温度值超过预定值时，系统会发出一个报警信号，并关断输出脉冲，使系统入重启动状态。