MOS半桥驱动通常用于驱动功率半桥电路，其中包括两个功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）或IGBT（绝缘栅双极性晶体管）开关，用于控制电流的流向。以下是MOS半桥驱动的一些详细介绍：

1.半桥拓扑：MOS半桥驱动通常应用于半桥电路拓扑，这种拓扑包括上半桥和下半桥，每个半桥由一个MOSFET开关和一个反极性的MOSFET开关组成。

2.上下驱动：MOS半桥驱动需要独立地驱动上半桥和下半桥的开关。这通常涉及使用两个独立的驱动电路，一个用于上半桥的高侧（High-Side）MOSFET，另一个用于下半桥的低侧（Low-Side）MOSFET。

3.高侧MOSFET驱动：驱动高侧MOSFET通常需要一种特殊的电路，因为它的源极电压可能高于驱动电路的电源电压。这可能需要使用驱动器或电压升压电路来确保高侧MOSFET正常工作。

4.低侧MOSFET驱动：低侧MOSFET通常相对容易驱动，因为其源极电压接近驱动电路的地。

5.死区时间：由于上半桥和下半桥的MOSFET不能同时导通，需要引入死区时间，以防止电流流向反相而导致短路。

6.保护和监测：MOS半桥驱动通常集成了过电压和过电流保护功能，以及用于监测电流、温度等参数的反馈电路。

7.高频驱动：为了实现高效率，MOS半桥驱动器通常能够支持高频操作，适用于一些要求高频开关的应用，如直流-直流变换器。

8.EMI管理：高频操作可能引入电磁干扰（EMI），因此一些MOS半桥驱动器还包括特殊设计来减小EMI。

MOS半桥驱动器在电机驱动、电源逆变器、直流-直流转换器等应用中广泛使用，提供了高效、精确的开关控制。

重点1:数据手册

BPD是一款5V栅压MOS半桥驱动芯片，驱动高侧和低侧NMOS。PWM输入控制高侧和低侧NMOSGate，第三态可以同时关断高侧和低侧MOS。能够快速驱动大电流MOS，适合多相同步整流Buck应用。BPD内置自举开关电路，等效自举二极管来给外部自举电容充电，简化了外围器件。BPD内置防直通保护，同时检测高侧和低侧的MOS栅源电压以及输出电压，防止直通。BPD的EN可以控制关断高低侧MOS，进入低功耗待机模式。

优势：

高侧电源最高耐压40V大驱动能力内置自举开关内置防直通保护PWM支持3.3V/5V逻辑，第三态控制EN待机关闭高低侧MOS内置欠压保护功能WDFN2x2-8封装

应用领域：

显卡Core供电中央处理器Core供电服务器Vcore供电人工智能Vcore供电

重点2:数据手册

BPD是一款5V栅压MOS半桥驱动芯片，驱动高侧和低侧NMOS，将此驱动器与BPS多相控制器相结合，可提供先进核心电源的优质系统解决方案。

优势：

射穿保护支持高达2MHz的切换频率快速输出上升和下降时间高、低、三态PWM输入内置低电压锁定(UVLO)功能，供电源使用可伸缩底铜垫，用于散热WDFN2x2-8封装

应用领域：

显卡Core供电中央处理器Core供电服务器Vcore供电人工智能Vcore供电

原理图：

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