点击上方蓝字 　　压接式布局延用平板型或螺栓型封装的管芯压接互连技能，点来往靠表里部施加压力实行，办理热疲困平静性题目，可制做大电流、高集成度的功率模块，但对管芯、压块、底板等零部件平坦度请求很高，不然不单将增大模块的来往热阻，况且会损伤芯片，严峻时芯片会扯破，布局繁杂、成本高、较量笨重，多用于晶闸管功率模块。焊接布局采纳引线键合技能为主宰的互连工艺，囊括焊料凸点互连、金属柱互连平行板方法、凹下阵列互连、堆积金属膜互连等技能，办理寄生参数、散热、牢靠性题目，现在已提议多种适用技能计划。比如，公道结讲和电路打算二次组装已封装元器件形成模块；可能功率电路采纳芯片，节制、启动电路采纳已封装器件，形成高本能模块；多芯片组件构胜利率智能模块。DBC基板布局便于将微电子节制芯片与高压大电流施行芯片密封在统一模块当中，可收缩或裁减内部引线，具有更好的热疲困平静性和很高的封装集成度，DBC通道、团体引足技能的运用有助于MCM的封装，团体引足无需额外举办引足焊接，基板上有更大的有用面积、更高的载流能耐，团体引足可在基板的一共四边实行，成为MCM功率半导体器件封装的紧急本领，并为模块智能化建造了工艺前提。

　　MCM封装办理两种或多种不同工艺所临盆的芯片装置、大电流布线、电热分隔等技能题目，对临盆工艺和设施的请求很高。MCM形状有侧向引足封装、进取引足封装、向下引足封装等计划。简而言之，侧向引足封装根底布局为DBC多层架构，DBC板带有通道与团体引足，可阀框架焊于其上，引线键合后，焊上金属盖实行封装。进取引足封装根底布局也采纳多层DBC，表层DBC边际留有开孔，引足直接键合鄙人层DBC板上，可阀框架焊于其上，引线键合后，焊上金属盖实行封装。向下引足封装为单层DBC布局，铜引足经过DBC基板预留通孔，直接键合在表层导体铜箔的后头，可阀框架焊于其上，引线键合、焊上金属盖实行封装。

　　综观功率模块研鼓动态，早已打破首先界说是将两个或两个以上的功率半导体芯片(各式晶闸管、整流二极管、功率复合晶体管、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管等)，按肯定电路互连，用弹性硅凝胶、环氧树脂等掩护材料密封在一个绝缘外壳内，并与导热底板绝缘的观点，迈向将器件芯片与节制、启动、过压过流及过热与欠压掩护等电路芯片相分离，密封在统一绝缘外壳内的智能化功率模块期间。

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