绝缘栅双极型晶体管又叫IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)

IGBT通常用“Q，VT”表示

原理图常用符号

IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件

IGBT优点：GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度

快，但导通压降大，载流密度小。IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压

降两方面的优点。

那IGBT好坏怎么测量？

更换选型时需要注意那些参数？

IGBT管的一般应用在工作电流都比较大电路中，除了上述参数外，要注意器件本身的散热情况，设计不当时，很容易过热烧毁，这里简单提一下热阻的算方法。

IGBT在电路中的示例接法

在实际应用中，有一个点需要注意的，IGBT管是电压控制型器件，需在IGBT管GE端接一个下拉的大电阻（一般10K以上），防止VCE高压，大电流引起VGE误开启，导致器件烧毁。