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开关管（mosfet）mos管大功率开关管的结构和工作原理：

mos管是由绝缘栅极和源极组成的pn结，当外加反向电压时，在p+区形成由耗尽层形成的低阻抗通道，而在n-区由于漏电流很小可以认为是高电阻区域。

因此，在外加反向电压的作用下产生大电流而工作。

硅半导体二极管（silicondiode），简称二极管（英语：diode）。

是一种具有单向传导电流的电子器件。

它有两个电极：一个称为基极（base），另一个称为发射极（emitter）。

当没有外加电压时，电子只能在第一级内流动；一旦加上正向电压则可以在整个方向上运动.这种利用外加电场实现电导调制的方法被称为"整流"。

二极管是半导体器件中最简单的类型之一，用字母"d"（读作doble）表示二进制的2的二进制数。

二极管的主要应用包括可控整流、交流稳压电源及用作其它电子电路的组成部分等。

二极管是最早发明的半导体器件之一，20世纪60年代以前被广泛使用。

随着科学技术的发展以及新型电力电子设备不断涌现，它的用量日趋减少。

在电子技术中常用到的是双极性晶体三极管（triphonictriacople），简写为ttl或3t3。

双极型晶体管的工作原理与一般三极管一样也是基于p-n结的单向导电性，即在其pn结附近建有一个势垒电容c0。

在正常工作时通过控制基极电流ib0，使c0下降到某一阈值以下而截止，从而阻止了少数载流子的扩散过程而使集电极电位上升至正常值以上。

这样多数载流子不能继续漂移而过饱和并处于导电状态，因而能够放大信号和提高输出功率。