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是一款常见的金氧半场效晶体管(MOSFET),广泛应用于各种模拟电路与数字电路中。最大耗散功率为(mW)。
mos管由沟槽加工技术设计而成实现极低的导通电阻。并快速切换速度和改善转移有效。这些功能结合使这个设计非常有效和适用于各种DC-DC应用的可靠设备。
mos管特征:
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:V-FET/V型槽MOS
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:20(V)
夹断电压:60(V)
最大漏极电流:(mA)
最大耗散功率:(mW)
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