一、mos管特性曲线：

1、MOS管的特性曲线：

（1）P-I特性：P（或N）为基极电流，I（或D）为漏极电流。

当漏源电压相等时，则输出端电压U0=Vcc/Vds；否则U0VCC/Vdt。

（2）R-C特性：R（或S）为集电极电流，C（或L）为发射极电流。当集电极电流等于发射极电流时则输出端电压Uo=VDs；否则UVoVDs。

（3）Q-T特性：Q（或B）为基极偏置电流和栅源电压之比值，T是栅源温度差。若Q=B+VT，则输出功率；反之功率减小。（注：在电路中通常用正弦信号代替直流信号）。

2、MOS管的放大原理：

（1）输入电阻越大，输入阻抗越高，其驱动能力越强。

（2）负载电阻越大负载越小，（即导通电阻越小），驱动能力也越弱。

（3）MOS管的工作状态有饱和现象。

（4）MOS管具有单向导电性。

二、mos管的参数：

1、额定工作温度范围：

结温范围：1～85°C；发射结温范围：80~°C±5°C；漏源结温范围：50～°F±5°F；静态功耗：20mA以下1W；动态功耗：10mA以下0.1w；短路保护阈值：5kΩ2KΩ；击穿强度：2kv/1min。

2、额定电源电压。

3、开关频率。

4、开关损耗。

5、工作频率。

6、耐压性能。

7、缘性能。

8、安全性能。

9、抗静电性能。

10、耐腐蚀性能。

11、防潮性能好。

12、使用寿命长。

13、体积小。

三、mos管的应用：

高频整流：

由于MOS管的单向导电性以及它的低导通电阻和高击穿电场等特点决定了它在高频领域有着广泛的应用前景。2KHz以下的低频振荡器大多采用金属氧化物半导体场效应晶体管做功率元件，2KHz以上的高频器件大多采用双极性晶体三极管做功率元件。3Ghz以上频段的高频器件一般均使用双极性晶体管作大功率元器件。