中国基金报记者文夕

“不是价格多高的问题，而是根本买不到，”随着下游需求持续高涨，被誉为“功率器件心脏”的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）面临着前所未有的紧缺局面。

近日，多家国内头部厂商所述也印证了这一局面，其中不少下游客户采取签订长单锁定供应策略。为此，国内厂商迫切寻求新的产能扩张，来环节过于旺盛的市场需求。当前，英飞凌、意法半导体在内的多家国外大厂IGBT交期均站上50周以上。面对排期高度拥挤，这些大厂并未急于扩产。

在业内看来，IGBT供给自去年以来持续紧张，至今并未出现任何减缓迹象。而且，国内厂商虽急于扩产，但产线建设周期一般在2年以上，预计在年之前供需错配难以解决。

大厂交期最高达54周

IGBT具有高频、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为电力电子装置的“CPU”和新能源“芯片”，电动车之所以具备碾压燃油车的加速体验，和这枚“心脏”的作用不无关系。

工控和新能源汽车是IGBT需求占比最大的两个下游领域，根据年统计显示，这两大领域分别占比为37%和28%，其次是新能源发电和家电变频市场，需求占比分别为9%和8%。尤其是在年以来，新能源汽车需求明显提速，年较年需求占比提升19%，是IGBT主要的增量需求来源。

那么，IGBT供应到底有多火？业界近期直呼：“涨价抢货已不是新鲜事，不是价格多高的问题，而是根本买不到。”

据知名经销商富昌电子近期发布的《Q1芯片市场行情报告》数据显示，ST（意法半导体）、Microsemi（美高森美）、Infineon（英飞凌）、IXYS（艾赛斯）、Fairchild（仙童半导体）这5大品牌的IGBTQ1与年Q4的交期基本维持一致，交期依旧紧张，最长为54周。

具体来看，在年第一季度中，意法半导体的IGBT货期为47-52周，美高森美的IGBT货期为42-52周，艾赛斯的IGBT货期为50-54周，英飞凌的IGBT货期为39-50周，仙童半导体的IGBT货期则为39-52周。

业内分析，IGBT大缺货有两大原因，首先是当前光伏逆变器采用IGBT的比重大幅提升；其次是目前半导体产业正处于调整期，不仅产能有限，而且许多产能都被新能源车厂抢走，在排挤效应下，导致IGBT大缺。

值得注意的是，特斯拉近期也在“火上浇油”。在3月1日的投资者日上，特斯拉方面公开表示，将在其电动车上大砍碳化硅用量75%。当时业内普遍预计，替代方案之一的IGBT需求有望暴增。

下游客户签订长单锁供应

这一状况也得到国内厂商印证。国内车规级IGBT头部玩家时代电气近日在机构交流中直言，从最近的市场订单来看，目前IGBT的需求很旺盛，很多重要客户选择签了3年的长约（-年）。“公司急迫需要IGBT三期的新产能，来缓解行过于旺盛的市场需求，”该公司称。

时代电气方面也谈及特斯拉砍碳化硅用量的新方案。该公司透露，对于确定大幅减少碳化硅的这种方向，不少汽车厂商与该公司一同研发新方案，可能加大硅基IGBT应用。

而且，时代电气在IGBT和碳化硅两种路线中保留了弹性。据了解，该公司在碳化硅方面，试用线改为商用线能解决第一批小批量的需求，其IGBT的6万片产能已经包含了对未来IGBT和碳化硅可能出现的此消彼长的需求弹性考量。

国内另一玩家士兰微近期也表示，目前海外大厂IPM交期还在50周左右，新能源市场后续还有很大成长空间。该公司透露，其汽车级功率模块的封装产能将从目前的10万只建设到20万只。而在国内空调、冰箱、洗衣机等大型白电市场对应IPM的需求约为6亿只，但公司现有产能可生产约1.6亿只，也面临着供需错配局面。

此前，一位业内人士曾告诉记者，一般而言，一辆电动车使用的IGBT数量高达上百颗，是传统燃油车的七到十倍。据他透露，目前国内的车规级IGBT年内的订单基本都被锁定。

而出现这一状况，与国际大厂并不急于扩产有着直接关系。在业内看来，海外大厂对IGBT扩产态度较为保守，不能及时满足市场需求，令国内企业“有机可乘”。

国内某头部功率表半导体厂商人士直言，以车规级产品为例，这一领域产品要求比较高，一旦定型就不可临时调整产品规格，“虽然都是IGBT，但是由于处于不同细分行业，对IGBT要求完全不一样，不存在混用可能，导致增加产线成本很高、且无法分摊。”该人士同时表示，倘若市场上对IGBT的供货能力远大于需求，则IGBT的价格会迅速下降。

产能紧张或持续至年

东亚前海一份研报指出，从全球市场竞争格局来看，欧美日厂商资金实力雄厚、技术水平领先、产业经验丰富，凭借先发优势抢占了全球功率半导体绝大多数的市场份额，并且一直保持较大的领先优势。英飞凌、三菱和富士电机等厂商贡献了全球八成以上的产能。而国内厂商在全球竞争中不具备优势，所占市场份额较低，国产化率低于20%。

不过，得益于IGBT产品更新迭代缓慢，给予本土IGBT厂商技术追赶时间。根据年英飞凌财报显示，士兰微在全球IGBT单管及IPM市占率达到3.5%、2.2%，均位列全球第八；而斯达半导在全球IGBT模块市占率达3.0%，位列全球第六。

而且，在-年间的IGBT扩产将由中国厂商主导，国内厂商趁机透过低售价、及时客户服务与稳定的供应链，成功打进下游客户，并逐渐拉升产能以提高市占率。

尤其是在车规级IGBT领域，由于国际IDM的IGBT交货时间很长，国内电动汽车初创汽车制造商不断转向本地供应商。这导致许多中国IGBT厂商正在积极推进产能扩张项目，因为国内厂商已经从主机厂获得了大量IGBT订单。年上半年，斯达半导和比亚迪分别占据国内车规级IGBT市场份额的二、三名。

不过，尽管国内厂商在去年下半年便纷纷宣布扩产，如斯达半导去年9月定增获得发审委通过，将募资35亿元用于IGBT芯片、SiC芯片的研发及生产。预计将会达成6英寸IGBT产能30万片/年，6英寸SiC芯片产能6万片/年。

而比亚迪半导体此前已经在济南投建功率半导体产能建设项目，规模合计约为49亿元。比亚迪方面此前曾表示，面对新能源汽车行业的持续增长，新增晶圆产能仍远不能满足下游需求。

正如比亚迪方面所言，这些规划产能“远水难解近渴”。“产能规划到实际投产之间，有漫长的产能爬坡阶段，而且主机厂还有较长的认证期，所以短期来看，国内供需错配局面很难改变，”前述功率半导体厂商人士告诉记者。

实际上，从项目扩产周期看，时代电气三期项目建设期约24个月，士兰微定增项目建设期为3年。时代电气方面此前也曾表示，其三期产能项目要年6-7月才会投产。在业内看来，供给紧张局面或将持续到年。

编辑：舰长

审核：木鱼