功率半导体是电子装置电能转换与电路控制的核心元器件，几乎用于所有需要电能处理和转换的场景。

自20世纪50年代开始发展，至今形成以二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等为代表的多世代产品体系。#功率半导体#其中，MOSFET、IGBT是半导体功率器件市场主要细分市场，占比分别为40%、25%，附加值更高，也是增长最为强劲的产品。

整体来看，在低压下，MOSFET相对IGBT在电性能和价格上具有优势；超过V以上，IGBT的相对优势凸显，电压越高，IGBT优势越明显。

功率分立器件性能参数及应用领域对比：

随着全球“碳达峰、碳中和”目标推进，Yole预计功率半导体器件市场规模年有望达到亿美元，年复合增长6.9%。

中国是全球最大的功率半导体消费国，随着新能源车、风电、光伏、储能、充电桩等需求持续旺盛，IGBT和MOSFET有望步入快速发展期，并具备广阔的国产替代空间。

功率半导体分立器件应用领域：

资料来源：黄山芯微招股说明书MOSFET

MOSFET又称MOS、MOS管，是电压控制型器件，具有开关和功率调节功能，当前正朝着制程缩小、技术变化、工艺进步和材料迭代发展。

MOSFET是低功率细分市场的关键。与其他功率半导体相比，MOSFET的开关速度快、开关损耗小，能耗低、热稳定性好、便于集成，在节能以及便携领域具有广泛应用。

在全球5G基础设施和5G手机、PC及云服务器、新能源汽车、新基建等市场推动下，全球MOSFET市场以较高速度增长。

从下游应用领域的占比来看，汽车电子及充电桩是功率半导体最主要的下游应用领域，占比20%-30%，消费电子占比20%以上，工业领域约占20%。

根据英飞凌测算，电动汽车中半导体价值量接近传统汽车的两倍，在高端电动汽车中MOSFET器件用量可达只，汽车电动化浪潮将给MOSFET带来巨大的增量空间。

根据Yole的数据，在功率MOSFET市场，年，全球TOP10的供应商市占率合计占比达到78.3%。

从竞争格局来看，全球MOSFET行业集中度高，欧美厂商占据第一梯队。

行行查数据显示，排名第一的英飞凌年全球市场份额达25.5%，全球功率MOSFET市场仍由英飞凌、安森美、东芝等欧美日系厂商主导。

TOP10厂商中，中国大陆厂商华润微、Nexperia（闻泰子公司）和士兰微的市占率合计占比仅为12.1%。

国内企业在中国MOSFET市场的市占率仍处于较低水平，但收入前十的厂家中已经开始出现国产功率器件厂商。出于供应链安全、市场供应紧张等多方面因素的考量，国内的整车厂、Tier1等下游客户会有较大意愿导入国产供应商。

IGBT

绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是能源交换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”。其工作频率介于晶闸管和MOSFET之间，能耗低、散热小，器件稳定性高。

IGBT广泛应用于光伏、风电等大功率逆变器以及新能源汽车电控系统和直流充电桩。

IGBT分为IGBT芯片和IGBT模块。其中IGBT模块是由IGBT芯片封装而来，具有参数优秀、最高电压高、引线电感小的特点，是IGBT最常见的应用形式，IGBT模块常用于大电流和大电压环境。

根据Omdia的数据，国内的IGBT产量从年的万只增长至年的万只，规模不断增长，但产能与需求之间仍存在较大缺口。

从全球IGBT竞争格局来看，行业较为集中。英飞凌是行业的绝对龙头，在IGBT分立器件和模组的市占率分别达28.87%和33.07%。

年，全球IGBT分立器件市占率前三的厂家市场份额合计达到了53.24%，国产厂商仅士兰微一家以3.5%的市场份额进入全球IGBT分立器件市占率前十厂商。

资料来源：天风证券

IGBT模组市场CR3达56.91%，国产厂商斯达半导和中车时代的市占率合计占比为5.01%。

年国内车载功率模块市场份额方面，已有斯达半导、比亚迪半导和时代电气三家国内厂商跻身前五，合计装机量占比接近50%，

从国内IDM模式的龙头IGBT产能规划来看，比亚迪半导、中车时代年8寸晶圆产能均实现翻倍增长，从国内Fab厂（华虹半导、中芯绍兴、先进积塔）IGBT产能规划来看亦能实现60%以上成长。

受益于新能源行业的快速发展，以MOSFET和IGBT为代表的第二代功率半导体器件有望迎来黄金发展期。

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