近半个世纪前，在功率半导体器件领域，半导体硅材料一直“独唱主角”，硅基超大规模集成技术对硅功率器件的发展产生了重大影响。然而，随着功率领域对小型化、高频、高温、高压和抗辐照特性的迫切需求，硅基功率器件达到了理论极限，第二代半导体材料砷化镓（GaAs），以及以碳化硅（SiC）半导体材料和氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（ZnO）、金刚石等宽禁带半导体材料（禁带宽度大于3.2eV）等为代表的第三代半导体材料纷纷登上半导体的舞台。与第一代半导体材料硅和第二代半导体材料砷化镓相比，碳化硅材料具有带隙宽（硅的2.9倍）、临界击穿电场高（硅的10倍）、热导率高（硅的3.3倍）、载流子饱和漂移速度高（硅的1.9倍）和极佳的化学稳定性和热稳定性等特点，是制造新一代高温、大功率、电力电子和光电子器件的理想材料。在相同击穿电压的情况下，碳化硅基功率器件的导通电阻只有硅器件的1/，极大地降低了变换器的导通损耗。据统计，若全国使用全碳化硅电力电子器件进行电能传输，每年可节省的电量相当于2个三峡水电站的发电量。根据美国科锐公司的研究，如果在全球范围内广泛使用碳化硅功率器件，每年节能将达到亿美元。因此，碳化硅基功率器件将能够大大降低能耗，满足未来电力系统对电力电子器件耐高压、低功耗的需求。随着碳化硅衬底、外延生长和工艺技术的不断进展，中等阻断电压（～V）的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）和功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）已经逐步实现商业化。然而，人们对材料特性、材料缺陷对碳化硅功率器件性能以及可靠性的影响机制仍然缺乏足够的了解，尤其是针对10kV以上的大容量碳化硅功率器件，通常需要碳化硅厚膜外延材料。高厚度、低缺陷的高质量碳化硅同质异型外延直接决定了碳化硅基电力电子器件性能的优劣。其次，碳化硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）面临的最大挑战是载流子迁移率低（10cm2/Vs），只有碳化硅基MOSFET器件的1/10，比碳化硅体材料（cm2/Vs）低两个数量级。载流子迁移率的高低决定着半导体器件的电导率与工作频率，影响着器件的开关损耗和工作效率。当前，碳化硅基功率器件面临着严峻的挑战，现有的碳化硅基肖特基二极管，MOSFET等器件并不能有效地满足实际应用需要，对IGBT器件的需求日益迫切，必须突破碳化硅基IGBT研究中的瓶颈问题，增加器件耐压强度，提高沟道迁移率。实现高温度、低缺陷碳化硅外延生长与原位掺杂技术碳化硅国产替代-国晶微半导体碳化硅厚外延的生长是高压大容量IGBT器件研制的基础之一，厚外延层、低背景载流子浓度是碳化硅器件耐击穿的保证。为此，研究团队对快速外延生长条件下的温场和流场分布进行了研究，建立了碳化硅生长速率与工艺条件的内在联系，采用热壁CVD反应生长室，提高碳化硅CVD系统温度场的均匀性；同时采用的低压化学气相沉积的方法可以调节反应气体的流量、改变生长温度等，进而增加碳化硅外延的生长速率，并保证恒定的碳与硅比例，使碳化硅外延在快速生长的同时，成分保持恒定。热生长二氧化硅是碳化硅基IGBT栅介质材料的首选，而二氧化硅与碳化硅界面的缺陷对IGBT器件的载流子迁移率、正向导通电阻等性能参数具有决定性的影响。为了提高碳化硅IGBT的导通特性，研究团队通过介质钝化技术，有效降低二氧化硅与碳化硅的界面缺陷密度，提高了MOS界面沟道迁移率。同时，针对制备IGBT所需要的多次离子注入，研究团队通过调整高温退火过程中温度、时间、升降温速率及氛围等工艺参数对杂质激活和晶格恢复，优化工艺条件，为IGBT器件制备奠定基础。在此基础上，研究团队调整元胞布局结构，成功实现导通电流密度突破50A/cm2，这在国内尚属首次。在功率密度为W/cm2的封装极限下，研究团队采用六角形元胞将碳化硅IGBT的导通电流密度提升至接近40A/cm2，微分比导通电阻提升至56.92mΩcm2，相比于同等阻断电压的碳化硅MOSFET器件，碳化硅IGBT漂移层具有载流子注入增强效应，因而导通性能大大提升，这极大地降低了高压电力电子功率变换器的导通损耗。研究团队所研制的条形元胞和六角形元胞IGBT器件均超过碳化硅材料单极型极限，性能达到国内领先水平，这再一次表明：通过减少碳化硅厚膜外延层中的缺陷密度，尤其是深能级缺陷密度，减少MOS结构界面态和表面态，提高碳化硅快速外延生长技术，可以大幅提高碳化硅IGBT器件的导通能力。新型碳化硅超高压器件终端技术在碳化硅IGBT的研制过程中，离子注入掺杂工艺在器件外围形成球面结和柱面结，因此需要设计有效的终端结构来提高高压碳化硅器件的击穿能力。常用于碳化硅终端技术的结构包括结终端扩展（JTE）、场限环（GR）、场板等。研究团队利用阶梯空间调制结终端扩展（SSM-JTE）终端结构有效提高了器件阻断电压对掺杂浓度的容忍范围，大大减小了10kV情况下器件的漏电流，碳化硅IGBT10kV时漏电流仅为10nA。科研团队所研制的大容量碳化硅IGBT器件可应用于新一代智能电网领域，进一步优化电力分配系统，使电网的效率更高、切换更快，特别是远距离输电线路。使用该种碳化硅器件可将功耗降低一半，由此将减少电力装备热量，从而大幅度降低电力变换器的体积和重量，这对于工作温度可达℃的电力系统是相当有益的。据报道，年世界平均电能消耗与总能源消耗的比率约为20％，并且在近几年该比率迅速增加。而调节电能离不开功率半导体器件，研究团队的研究成果将在高效节能方面扮演极其重要的角色。接下来，研究团队将继续深化研究，为全面提升我国全控型电力电子器件的原始创新能力提供科研助力，进而增强我国在这一战略性领域中的国际竞争力。无锡国晶微半导体技术有限公司是宽禁带第三代半导体碳化硅SiC功率器件、氮化镓GaN光电器件以及常规集成电路研发及产业化的高科技创新型企业，从事碳化硅场效应管，碳化硅肖特基二极管、GaN光电光耦继电器、单片机集成电路等产品芯片设计、生产与销售并提供相关产品整体方案设计配套服务，总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内，并在杭州、深圳和香港设有研发中心和销售服务支持中心及办事处。公司具有国内领先的研发实力，专注于为客户提供高效能、低功耗、低阻值、品质稳定的碳化硅高低功率器件及光电集成电路产品，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力。公司的碳化硅功率器件涵盖V/2A-A，1V/2A-90A，V/5A-80A等系列，产品已经投入批量生产，产品完全可以对标国际品牌同行的先进品质及水平。先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级、车规级可靠性测试的碳化硅MOSFET系列产品，性能达到国际先进水平，应用于太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、智能电网、高频电焊、轨道交通、工业控制特种电源、国防军工等领域。由于其具有高速开关和低导通电阻的特性，即使在高温条件下也能体现优异的电气特性，大幅降低开关损耗，使元器件更小型化及轻量化，效能更高效，提高系统整体可靠性，可使电动汽车在续航里程提升10%，整车重量降低5%左右，并实现设计用充电桩的高温环境下安全、稳定运行。特别在高低压光耦半导体技术方面更是拥有业内领先的研发团队。在国内创先设计开发了28nm光敏光栅开关PVG芯片技术，并成功量产应用于60V、V、V高低压、低内阻、低电容的光电耦合继电器芯片、涵盖kVrmsSOP超小封装及kVrms隔离增强型常规SMD、DIP等不同封装，单路、双路、混合双路、常开常闭等电路产品，另包括VSOIMOS/LIGBT集成芯片、VCMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit单片机等集成电路产品，均获得市场及各重点科研单位、检测机构的新产品认定。公司核心研发团队中大部分工程师拥有硕士及以上学位，并有多名博士主持项目的开发。公司建立了科技创新和知识产权管理的规范体系，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计、器件模型提取等方面积累了众多核心技术，拥有多项国际、国内自主发明专利。“国之重器，从晶出发，自强自主，成就百年”是国晶微半导体的企业目标，我们为员工提供精彩的发展空间，为客户提供精良的产品服务，我们真诚期待与您携手共赢未来。

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