近日，台积电在欧洲举行的年度开放创新平台（OIP）论坛上，向合作伙伴介绍了其未来几年的发展规划，其中最引人注目的是其2nm级别的N2、N2P和N2X工艺技术。

这些工艺技术将引入多项创新，包括纳米片环绕栅极（GAA）晶体管、背面供电网络和超高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器等。

然而，要想利用这些创新，芯片设计者需要使用全新的电子设计自动化（EDA）、仿真和验证工具以及IP。

这对于习惯了使用传统FinFET晶体管的芯片设计者来说，无疑是一个巨大的挑战。好在台积电的开放创新平台（OIP）展现了其强大的协作能力，让台积电的合作伙伴能够提前开始开发适用于2nm工艺技术的产品。

据台积电设计基础设施管理部门负责人在会议上表示：“对于N2，我们可以提前两年就开始与他们合作，因为纳米片与FinFET不同。[EDA]工具必须做好准备，所以OIP团队提前与他们合作。我们有一个庞大的工程团队与EDA合作伙伴、IP合作伙伴以及其他合作伙伴共同努力。”

目前，Cadence和Synopsys等主要EDA工具以及Ansys和SiemensEDA等许多工具已经通过了台积电的认证，因此芯片设计者已经可以使用它们来设计芯片。

此外，Cadence和Synopsys的EDA软件程序已经支持模拟设计迁移。更进一步的是，Cadence的EDA工具已经支持N2P的背面供电网络。

在预制IP方面，事情进展得稍慢一些。台积电的基础库和IP，包括标准单元、GPIO/ESD、PLL、SRAM和ROM等，已经为移动和高性能计算应用做好了准备。

台积电计划在年下半年开始批量生产采用2nm工艺技术的芯片，并将在年交付给客户。这意味着从3nm到2nm之间将有三年左右的时间间隔，这也反映了台积电制程技术发展策略的重大变化。

据悉，台积电的2nm工艺技术将比3nm工艺技术提供10%~15%的性能提升、25%~30%的功耗降低以及超过1.15倍的逻辑密度增加。

台积电的2nm工艺技术无疑将为未来的芯片设计带来更多可能性和优势，但同时也需要芯片设计者做好充分的准备和适应。

台积电的开放创新平台（OIP）将为此提供强有力的支持和协助，让芯片设计者能够顺利地完成从FinFET到纳米片的转型。