1.中芯国际：今年沉淀，明年起飞？;2.江苏省长吴政隆莅临中建一局无锡海力士厂房视察指导;3.二线晶圆代工聚焦3大商机1.中芯国际：今年沉淀，明年起飞？;3月29日，作为世界领先的集成电路晶圆代工企业，及中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，中芯国际（.HK）发布了年的年度业绩。年内利润大幅下滑收入创下新高，由年的29.14亿美元增至31.01亿美元，升幅6.4%，但年内利润录得1.26亿，较年的3.16亿下滑60.13%，主要是因为销售成本、研发开支净额的上升。销售成本较年上升14.34%，导致毛利由8.5亿美元下滑至7.4亿，跌幅12.94%，再加上研发开支净额由年的3.18亿美元增34.28%至4.27亿，使得年内利润大幅下滑。收入创下新高主要因为已付运晶圆的数量上升，年，中芯国际晶圆付运量为万片8寸等值晶圆，较年的.77万片上升8.9%。销售成本的上升，是由于折旧费用增加及晶圆付运量增长所致，年的折旧摊销费用为5.84亿美元，年增32.53%至7.74亿美元，这也导致了中芯国际的毛利率由年的29.2%下降至年的23.9%。18年资本开支计划晶圆代工属于重资本行业，生产线的规模化、产品制程的先进化是企业的“护城河”，最新制程晶圆技术的掌握，将带给企业先发优势及价格优势，但这都是通过大量的资本研发投入实现的，新产能的扩充也将带来折旧费用使企业业绩承压，就中芯国际而言，年，税息折旧及摊销前利润约11.2亿美元，同比增长约5.2%，创下历史新高。但为了抢占技术高地及市场份额，产能的扩充与研发的投入将势在必行，放弃这两项投入，也就等于放弃了未来。在年，公司对重大资本开支做了详细规划，预计资本开支约为19亿美元，主要用于：1.扩充拥有大部分权益的北京mm晶圆厂、北京mm晶圆厂、上海mm晶圆厂、上海mm晶圆厂及江阴凸块厂；2.天津的新项目；3.拥有大部分权益的附属公司将聚焦于14纳米FinFET技术的研发。中芯国际有望在年于产能及先进制程研发再进一步。先进制程的追赶中芯国际的，注定是变革的一年，在智能手机增速放缓的行业环境下，行业增长动力转向由先进制程的高性能运算产品为主，成熟制程的竞争愈加剧烈，价格压力远大于预期，这也是由于公司在先进制程技术方面的落后造成的,如下所示为年各季度的毛利率情况，由于行业内竞争加剧，第四季度，中芯国际毛利率已下滑至18.9%。表：整理於公司公告晶圆代工厂数目众多，按照技术可分为三个梯队。第一梯队：台积电、三星、Intel,掌握了10nm的高端制程量产技术；第二梯队主要有格罗方德（GlobalFoundries）、联电（UMC）等，在高端14nm上有小规模的量产，28nm制程算是完全成熟；第三梯度主要是中芯国际，28nm已实现量产，但是良率较低，40nm制程完全成熟。所以，在行业环境主导力量发生变化时，工艺制程落后龙头代工企业2-3代的中芯国际显得较为吃力。28nm晶圆的扩大生产是公司年的主要增长动力之一，来自28nm的收入占比从年初的5%迅速攀升至年底的11.3%。其中，28nm的HKMG（金属栅+高K栅介质）已在年完成产能爬坡，改良版HKC+预计年投产，而针对14nmFinFET技术目前正处于研发阶段，预计年上半年量产。估值方面，截止4月4日收盘，PE（TTM）为35.8倍，是港股市场中同行业最高的，以历史估值相比较，中芯国际目前PE也处于年来高位，这其中不乏投资者对梁孟松博士加盟后对14nm技术研究进度的看好。但在缩小与产业龙头技术上的差距之前，中芯国际仍将面临现有制程的剧烈竞争，价格压力将影响公司业绩。对于中芯国际来说，充满挑战，能否沉淀后“振翅高飞”，就看14nm先进制程的研究结果了。作者：杨世宏财华社2.江苏省长吴政隆莅临中建一局无锡海力士厂房视察指导;3月30日上午，江苏省委副书记、省长吴政隆一行莅临中建一局建设发展公司无锡SK海力士厂房扩建项目视察，SK海力士法人长徐根哲、常务长姜永守、建设发展公司海力士厂房扩建项目经理尹祥全程陪同。吴政隆一行首先视察现场施工情况，并听取工程讲解员关于项目先进技术实力和优秀厂房总承包管理经验的介绍，截至目前，项目各单体主体结构已经完成。吴政隆一行对工程质量、工程控制及现场文明施工予以高度评价，并表示对高科技企业助力江苏产业发展充满信心。此次承建海力士改扩建项目，是中建一局建设发展公司与SK海力士公司的二次携手，建筑总面积约27万平方米，施工总工期约16个月，工程建设完成投产后，将极大地提升半导体完成品生产量，并为当地提供余个就业岗位，促进当地经济发展。北方网3.二线晶圆代工聚焦3大商机二线晶圆代工厂世界先进及茂矽受惠于车用电子、指纹辨识及MOSFET订单涌入，上半年接单畅旺、产能利用率达满载，业界预估第2季业绩可望挑战双位数成长。过去晶圆代工厂逐渐将产能转向12吋，全球6、8吋产能逐渐减少，加上国际IDM厂委外生产已成趋势，今年在车用电源管理IC、指纹辨识IC及MOSFET（金属氧化物半导体场效晶体管）均出现双位数成长，带动今年台厂二线晶圆代工业绩。其中世界先进去年陆续接获外商IDM厂委外生产订单，尤以车用电子为大宗，今年在电源管理IC、指纹辨识IC将出现双位数成长，接单能见度至第2季底，在8吋需求大增、产能供应不求之下，正评估第4座晶圆厂新产能，预估年资本支出在21亿元，较去年增加3亿元。茂矽今年受惠MOSFET及二极管市况大好，产能利用率达满载，第2季力拚转盈，为因应市场庞大需求，茂矽规画在第3季将原有每月5.7万片6吋产能，提升至每月6万片。此外，茂矽加快IGBT（绝缘栅双极晶体管）布局，预料第3季有机会小量产出。经济日报END

转载请注明:http://www.aideyishus.com/lkyy/6151.html