选型IGBT（绝缘栅双极晶体管）是电子设备设计中的重要任务，因为正确的IGBT选择对于设备性能和可靠性至关重要。本文将介绍如何选择适合您应用的IGBT，并解释IGBT的关键特性以及如何阅读IGBT的数据表。在选择IGBT时，以下几个关键问题需要考虑：

1.工作电压

IGBT的工作电压应不超过其VCES额定值的80%。这确保了IGBT在工作时具有足够的电压容忍度，防止设备过载。

2.开关方式

要确定是采用硬开关还是软开关，硬开关通常需要Punch-Through（PT）型IGBT，而软开关也可以使用NonPunch-Through（NPT）型IGBT。PT型适合软开关，因为它们具有较低的尾电流。

3.电流

了解设备需要承受的电流是至关重要的。IGBT型号通常以其第一和第二个数字来表示其额定电流。对于硬开关应用，使用可用电流与频率图表有助于确定IGBT是否适合应用。

4.开关速度

如果需要更高的开关速度，那么PT型IGBT是更好的选择。对于硬开关应用，可用电流与频率图表可帮助您回答此问题。

5.短路耐受能力

某些应用需要设备具有短路耐受能力，如电机驱动器。NPT型IGBT通常具有这种能力，而开关电源通常不需要。

IGBT与MOSFET的比较

IGBT和N通道功率MOSFET之间存在一些相似之处，但也有关键的区别。IGBT是一种N通道功率MOSFET，它在p型衬底上构建，因此其操作与功率MOSFET非常相似。IGBT的优势在于其较低的导通电压。与MOSFET相比，IGBT允许电子和空穴同时流动，这降低了电流流动的有效电阻，从而降低了导通电压。

开关速度

然而，降低导通电压的代价是较低的开关速度，特别是在关断过程中。IGBT在关断时会出现尾电流，直到所有空穴被清除或复合为止。PT型IGBT通过n+缓冲层来控制空穴的复合速率，从而提高了关断速度。NPT型IGBT也称为对称型IGBT，PT型IGBT也称为非对称型IGBT。

选择IGBT时，必须平衡导通电压、开关速度和短路耐受能力之间的权衡。高导通电压通常会导致较慢的开关速度，但增加了短路耐受能力。因此，您需要根据应用的需求选择适当的IGBT类型。

数据表解读

IGBT的数据表包含了许多重要参数，供设计师参考。以下是一些重要的参数：

VCES（集电极-发射极电压）：最大允许的集电极-发射极电压。

VGE（栅-发射极电压）：最大允许的栅-发射极电压。

IC1和IC2（连续集电流）：最大允许的连续集电流，考虑了温度和热阻。

ICM（脉冲集电流）：最大允许的脉冲集电流。

EAS（单脉冲阻止雪崩能量）：IGBT能够安全吸收的反向阻止雪崩能量。

这些参数对于选择适当的IGBT和设计电路非常重要。同时，IGBT的工作温度范围（TJ，TSTG）和PD（总功率耗散）也需要考虑。

选择合适的IGBT对于电子设备的性能至关重要，需要综合考虑工作电压、开关方式、电流、开关速度和短路耐受能力等因素。通过仔细研究IGBT的数据表和理解其关键特性，才能确保选择适合您应用的IGBT，并在设计中取得成功。