mos管的工作原理是当mos管的栅极加正电压时，在栅源之间形成由pnp和npk组成的p-n结，由于该区域势垒较高，所以漏极电流较大。而当mos管的漏极加上负电时（即给栅源间加上反向电压），则在漏源之间形成一个由p+和p-组成的p-v沟道，由于这个区域势垒较低，所以流入漏极的电流较小。因此通过控制栅源的电流使mos管导通的时间很短（一般几十纳秒）。这就是mos管的基本工作原理。

二、mosfet的结构和工作原理

1、双极性结构：双极性结构的器件具有两个输入端和两个输出端.其结构如下图所示：

2、四极性结构四个输入端四个输出端的器件称为四极性器件.它的特点是每个输入端有一个集电极和一个发射极；每个输出端有基极和集电极各一个.

3、单级多子式结构单级多子式结构的器件只有一个输入端口和一个输出端口；这种器件的特点是每一个输人端口只对应于一个基区或射区；

4、三极管三极管有两个输人端口和两个输出端口.

5、场效应晶体管场效应晶体管是一种特殊类型的半导体集成电路芯片.它是在一块硅片上制作几个相互绝缘的区域作为基本单元构成的电路模块.，这些相互绝缘的区域叫做"结".场效应晶体管就是利用电场的作用将电能直接转换为光电子的一种元件.（注："场"是指电荷的运动，"效"是指能量转换）.

6、晶闸管晶闸管是由多数载流子的导电性能介于金属与半导体之间的晶体材料制成的可控整流元件.它是把可关断的闸门制成npn型或pnp型的半导体产品，，并采用一定的控制手段进行开通、关闭及调节控制的设备.（注："晶"，指单个结晶体的原子，"闸"，指的是一种机械开关。）

7、其他类型其他一些常见的集成电路如cmos电路等也是用上述类似的原理制作的。