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一、研究背景

自从20世纪60年代制造出第一个集成电路以来，硅(Si)晶体管已经按照摩尔定律缩小了，因此可以在一个芯片上制造更多的设备。当栅极长度(Lg)缩小到5nm以下时，硅晶体管现在接近缩小极限理论分析表明，短沟道效应(SCEs),包括直接源极到漏极隧道电流和漏极感应势垒降低(DIBL)效应，会影响缩小过程。基于V形槽湿法蚀刻技术，最新硅晶体管的Lg为3nm。探索具有进一步Lg缩小潜力的新材料非常重要。近年来，覆盖从半金属、半导体到绝缘体的大范围导电性的二维材料为下一代电子设备吸引了极大的

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