XDHAYT1S3/XDHAN1S3电磁炉IGBT（15A/0V）特点：

TrenchField-StopTechnologyIGBTFeatures

?0V,15A

?VCE(sat)(typ.)=2.3V

?LowSwitchingLosses

?VCE(sat)withPositiveTemperatureCoefficient

?Pb-freeLeadPlating;RoHSCompliantApplications

?FrequencyConverters

?UninterruptedPowerSupply

?AirConditioning

?MotorDrives

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。电磁炉上普遍运用到XDHAYT1S3/XDHAN1S3等IGBT,

以下是相关规格书资料：（提供样品，技术支持）