金融界年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，广州华瑞升阳投资有限公司申请一项名为“场效应晶体管、沟槽MOS型二极管及绝缘栅双极型晶体管”的专利，公开号CNA，申请日期为年7月。

专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，基于对肖特基源漏MOSFET的结构创新，提出了一种具有大的开态通流能力以及更低的关态漏电能力的场效应晶体管。以n沟道常关型的MOSFET为例，在原来利用源电极与n型半导体区形成肖特基结对n型半导体区的电子载流子从一侧产生耗尽作用的基础上，再引入肖特基栅或者p型栅对n型半导体区的电子载流子从另一侧产生耗尽，从而实现双侧耗尽的影响效果如此从电性能上既维持了开态通流能力又进步降低了关态漏电，同时也有利于开启电压的调节；从制程工艺上，可放宽关键的宽度尺寸要求，降低对光刻刻蚀技术和设备的要求，扩大工艺窗口，提升批量化生产良率。

天眼查资料显示，广州华瑞升阳投资有限公司，成立于年，位于广州市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本万人民币。通过天眼查大数据分析，广州华瑞升阳投资有限公司共对外投资了5家企业，知识产权方面有商标信息4条，专利信息28条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员