当前位置: 绝缘栅 >> 绝缘栅介绍 >> MOSFET的多种特性参数详解
这是指在任何情况下都不允许超越的最大极限值。
额定电压(VDSS)额定电压,通常表示为VDSS,指的是漏极(D)与源极(S)之间所能承受的最大电压值。这一参数在电子设备中至关重要,因为它决定了器件在正常工作条件下能够安全处理的最大电压。超过这个限制可能会导致设备损坏或性能下降。VGSS:栅极(G)与源极(S)之间允许施加的最大电压。
2额定电流ID(DC):指漏极所允许通过的最大直流电流。其数值受到多种因素的影响,包括导通阻抗、封装方式以及内部连线等。在TC=25℃且假定封装紧贴无限大散热板的条件下,该值具有重要意义。lD(Pulse):这是漏极所允许通过的最大脉冲电流。同样,这个数值也受到脉冲宽度和占空比等参数的制约。在电路设计中,了解这些参数对于确保设备安全、稳定运行至关重要。
3额定功耗PT:指芯片所能承受的最大功耗。其测定条件通常分为两种情况:一是TC=25℃时,芯片紧贴无限大散热板进行测定;二是TA=25℃时,芯片直立安装但不接散热板进行测定。了解这些测定条件,对于确保芯片在各种环境下的稳定运行具有重要意义。
4额定温度Tch:这是指MOSFET的沟道所能承受的上限温度,通常不超过50°C。Tstg:对于MOSFET器件本身或使用MOSFET的产品,其保存时的温度范围需在-55°C至50°C之间。
5热阻热阻是衡量热传导难易程度的指标。热阻值越小,散热性能越佳。若产品使用手册中未明确给出热阻值,可以通过额定功耗PT及Tch进行计算得出。沟道与封装之间的热阻(存在散热板的情况)在考虑MOSFET的散热性能时,除了其额定温度外,还需要
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