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IGBT是甚么？它与MOS管有甚么差别？它们两个各有优弱点。原来IGBT即是InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管。MOS管是单极性晶体管。由于IGBT是由MOS管与三极管构成的。MOS管优弱点：切换频次高，开关速率快点，弱点即是高压时导通电阻高，功耗大。时时低于V。IGBT由于加了三极管，开关有些延时，拖尾。速率慢点，益处即是高压时导通电阻低，因三极管导通电阻比MOS管要小，双极型比单极型即是电阻小。在高压时，功率花费小。在低压时功耗巨细看不出来，高压就不同样了。

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