之前了我们聊了那么多，其中都离不开半导体这个中心，半导体器件作为电子工业的基础，它的发展是怎么样的呢？今天我们就来聊聊：

1半导体材料

半导体材料这个想必大家都不陌生，现在我们使用的最常见的便是硅(Si)，但是宽禁带半导体(WBG)又是当下较为热门的半导体材料。

最早用于制造半导体器件的材料是锗(Ge)，年，巴丁(Bardeen)、布莱登(Brattain)和肖克莱(Shockley)就是使用锗制造出了第一只晶体管。到了20世纪60年代初，硅以其诸多优势取代了锗，成为了主导的半导体材料：

①硅的取材较为广泛，硅作为沙子的主要组成成分，在自然界的含量十分可观，也就是较为廉价；

②硅很容易氧化从而形成二氧化硅(SiO2)绝缘层，对器件制造的选择性扩散工艺来说具有极好的阻挡性；

③硅的禁带宽度比锗大，意味着能够允许更高的工作温度范围。(WBG较之硅，其禁带更宽)；

除了硅之外，还有一种半导体材料是砷化镓(GaAs)，虽然其电子迁移率比硅更高，但是在制造工艺上却有局限性：热处理的稳定性较差，氧化特性不好，同时价格也较高；从而决定了它的使用局限性，GaAs主要被用在高速电路中。

----化合物半导体

砷化镓(GaAs)：这种半导体对于微波器件来说很适用，因为它的开关频率高，禁带宽度有1.4eV，并具有很高的电子迁移率，是Si的5倍左右。在功率器件的领域中，高的电子迁移率使它适用于做高压肖特基二极管。

碳化硅(SiC)：目前比较热门的化合物半导体材料，针对它的研究从未使它经常被称为功率器件的理想材料。SiC由于其禁带宽度范围大，从2.3eV和3.3eV，这取决于结晶形成的变化，导致它的最高结温和临界电场强度比Si高得多。SiC的特性使其变得很优越，但是由于金属接触的性质和封装的限制，使其不能充分被利用，但是高临界电场确实有利于应用的扩展。目前，大部分半导体厂家都相继有SiC的产品出来，相对于Si来说，SiC拥有较高的结温，高的开关频率以及低的开关损耗等优势，但由于制造技术等其他因素的限制，目前SiC还处于很年轻的状态。

氮化镓(GaN)：其禁带宽度有3.4eV，具体的应用可以去百度详细了解下(说实话，我也不是太了解，后期会去

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