今天大概率还会延续昨天那种震荡整理的态势。但只要周末没有大的利空，下周初就有望再次向上发起新的攻势。

《投资者网》特约国金证券分析师毛锐

受外部因素影响，周四早盘三大指数集体低开。开盘之后，指数震荡回升，创业板指一度翻红，无奈后继乏力，指数再次回落。午后，指数重新企稳，之后缓慢爬升直至收市。最终，上证指数、深成指、创业板指分别以跌0.19%、跌0.34%、涨0.01%报收。盘面上，涨停股（剔除ST和未开板次新股）42家，显示市场情绪一般；个股涨跌比：，个股平均涨幅0.44%，赚钱效应偏强，两市成交额亿，较前一交易日缩量15.74%。北上资金净流出逾45亿。

昨天指数在盘中的回调应该是在预料之中，因为一方面是因为昨天早评中提到的外部因素，另一方面大盘在一口气反弹了多点之后，也需要有个休整的过程。但是从结果来看，市场比预期还强，一方面比同样受外部因素影响的恒生指数要强得多，另一方面个股赚钱效应依然保持。

在前天的早评中，锐叔曾帮大家梳理了几个参考，并因此得出结论，认为底部已经探明的可能性很大。那么，从这个底部出发，未来行情的持续性和级别又会怎样呢？今天就再帮大家回顾一下A股的历史，并以此作为一个参考。

当前时点已经来到了今年的尾声阶段，而A股岁末年初的躁动行情是固有规律，源于政策面和基本面的日历效应。若以沪深指数为代表来刻画，回顾年以来A股岁末年初的行情，均有一定程度的跨年行情，只是启动时间和涨幅会有差异。启动时间早晚又往往与之前行情有关，若之前行情较弱，则跨年行情启动偏早，最早于上一年的11月中启动，如、、、、、年；若之前行情较好，则跨年行情启动较晚，要到下一年1月中下旬甚至2月初才启动，如、、、、、、、、年；其他年份则在元旦附近启动。此外，跨年行情持续时间最长个交易日、最短仅17个交易日、平均为45天，沪深涨幅最大89.6%、最小5.7%、平均22.5%。

而今年7月以来市场表现显然很弱，那么借鉴历史，跨年行情有望较早展开，当前在时间点上基本合拍。至少从这一点来看，锐叔之前预判的“暖冬行情”还是值得期待的。不过，在短线上来看，隔夜美元指数、美债收益率继续走高，北上资金在汇率、利率这些外部因素影响下，大概率还会呈现流出态势，从而给A股带来一定压力。加上临近周末，市场情绪往往趋于谨慎，今天大概率还会延续昨天那种震荡整理的态势。但只要周末没有大的利空，下周初就有望再次向上发起新的攻势。

板块和热点方面，昨天盘面上，行业方面，按不加权方式排序，半导体、旅游、矿物制品等涨幅居前，软件服务、保险、传媒娱乐等跌幅居前。题材方面，结合涨停个股数量和板块指数涨幅，光伏、汽车芯片等相对活跃。

昨天半导体板块指数涨超3%，领涨各大行业，而汽车芯片应该是其中最强的分支。驱动上，一是美国于今年10月出台了对华芯片出口管制措施，《日本经济新闻》11月2日爆料，就上述措施，美国敦促日本等盟国跟进，出台类似的措施；二是工信部发布《关于开展智能网联汽车准入和上路通行试点工作的通知（征求意见稿）》，智能网联汽车商业化落地有望提速；三是台湾电子时报报道，半导体代工厂正与车企协商涨价。由上述驱动来看，当前半导体板块的逻辑主要是两条线，一是国产替代，二是结构性高景气领域。前者更多是基于情绪面的短线炒作，后者更多是基于基本面的中线逻辑。对于普通投资者来说，后者把握起来更容易一些，因此接下来就进一步谈谈后者。当前半导体行业景气度最高的是与新能源相关的领域，因为其受益于下游的高景气度。对此，锐叔曾于10月21日的早评中提到过IGBT（绝缘栅双极型晶体管，是能源变换与传输的核心器件，主要用于实现电压、频率、直流交流转换等功能，被称为电力电子装置的“CPU”，被广泛应用于光伏/风电设备、新能源汽车、家电、储能、轨道交通、电网、航空航天等领域）因下游需求较大，而出现短缺现象。而与IGBT相比，新一代功率半导体以第三代半导体材料SiC（碳化硅）为衬底，能大幅降低开关损耗，提升逆变效率，前景不可小觑。根据东芝电子的产品数据，将IGBT换成替代性SiCMOSFET，导通损耗仅从4.4W上升到4.5W，作为对比开通和关断损耗显著降低，分别从3.1W和6.9W降低到2.5W和1.5W，总损耗从14.4W降低到8.5W，降低了41%的损耗。当前国际IDM大厂和国内IGBT厂商都在积极布局SiC业务，英飞凌已实现量产，罗姆SiC功率半导体市占率已达20%，未来有望持续提升。国内方面，也有多家公司已具备SiC芯片生产能力，并陆续募资投入SiC芯片研发与制造。对于这个领域，大家也可保持中线

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