11月8日，中国科协公布第六届优秀科技论文遴选计划入选论文。《电工技术学报》三篇论文成功入选，在此向获奖作者表示热烈的祝贺！

《不同电极间距下纳秒脉冲表面介质阻挡放电分布特性》（作者：姜慧、邵涛、章程、严萍）

《高压大电流（V/A）IGBT芯片研制》（作者：刘国友、黄建伟、覃荣震、朱春林）

《基于无滤波器方波信号注入的永磁同步电机初始位置检测方法》（作者：张国强、王高林、徐殿国）

中国科学技术协会自年起每年组织开展“中国科协优秀科技论文遴选”，旨在遴选出在国际学术界有影响、在科技前沿有突破和建树、对原始创新有引领作用、对国家经济社会建设有重大贡献的优秀论文，提升我国在国际科技界的话语权，更好地提升科技创新能力和服务广大科技工作者。同时，通过学科集群专家推荐、牵头单位组织遴选、中国科协终审认定等程序，确定入选论文名单。

本届入选的95篇论文是年1月1日以来，发表在我国科技期刊上的优秀论文的代表。这些论文有的在基础研究前沿领域作出重要原始创新，对丰富和发展学科体系作出了积极贡献；有的在应用研究领域取得重要突破，解决重大工程技术难题，极大促进了技术创新和产业发展。发表上述优秀论文的期刊及编辑人员，为论文的编辑出版做了大量基础性工作，为吸引和凝聚高水平成果在我国科技期刊上发表作出了积极贡献。

在本届95篇获奖论文的发表期刊中，《电工技术学报》、《中国科学：地球科学》和《ScienceChina(LifeSciences)》脱颖而出，入选的论文数量都达到三篇。

《电工技术学报》是电气工程领域综合性学术期刊，全面报道电气工程领域具有国际和国内领先水平的学术及科研成果，在电气工程学术界、工程界、教育界享有崇高的声誉，是我国电气工程学科最高水平的学术期刊之一。

入选论文（一）

论文信息：姜慧，邵涛，章程，严萍.不同电极间距下纳秒脉冲表面介质阻挡放电分布特性[J].电工技术学报，,32(2):33-42.JiangHui,ShaoTao,ZhangCheng,YanPing.DistributionCharacteristicsofNanosecond-PulsedSurfaceDielectricBarrierDischargeatDifferentElectrodeGaps.TransactionsofChinaElectrotechnicalSociety,,32(2):33-42.

论文摘要：电极间距是表面介质阻挡放电（SDBD）的一个重要结构参数。通过实验研究和仿真计算，研究电极间距对纳秒脉冲SDBD等离子体分布特性的影响，并从理论上分析类弥散和离散通道两种等离子体分布的形成机制。

实验研究表明，电极间距是造成两种典型特性及不同等离子体分布的关键结构参数。通过对放电区域外电场的仿真计算发现，不同电极间距下外电场分布形态和数值的差异，是形成两种不同等离子体分布模式的直接原因。

结合气体放电基本理论，分析认为：等离子体类弥散分布是由于流注前向发展和横向激发电离同时在起作用，而离散通道分布是因为流注通道以前向发展为主、横向电离作用较弱；两种等离子体分布模式形成的根本原因在于电场随时间的增大率和随空间的减小率以及流注通道的发展速度之间的匹配。

入选论文（二）

论文信息：刘国友，黄建伟，覃荣震，朱春林.高压大电流（V/A）IGBT芯片研制[J].电工技术学报，,36(4):-.LiuGuoyou,HuangJianwei,QinRongzhen,ZhuChunlin.DevelopmentofLargeSizeIGBTChipwithHighPowerCapacityofV/A.TransactionsofChinaElectrotechnicalSociety,,36(4):-.

论文摘要：提高绝缘栅双极晶体管（IGBT）单芯片电流容量，对减小封装器件芯片并联数、简化封装结构、改善芯片均流至关重要。该文基于高压、大电流、高可靠性IGBT应用需求，通过高压IGBT芯片坚强元胞设计及其协同控制技术实现了元胞之间的开关同步，通过光刻拼版技术解决大尺寸芯片的工艺制造，通过单芯片压接封装验证了大尺寸芯片设计及其性能，探索出一条大尺寸IGBT芯片设计、制造与验证的技术路径。

研究开发了全球第一片42mm×42mm大尺寸高压IGBT芯片，攻克了高压IGBT芯片内部大规模元胞集成及其均流控制的技术难题，首次实现了V/A单芯片功率容量，具备优良的动静态特性和更宽的安全工作区，并可以显著提高IGBT封装功率密度与可靠性。

入选论文（三）

论文信息：张国强，王高林，徐殿国.基于无滤波器方波信号注入的永磁同步电机初始位置检测方法[J].电工技术学报，,32(13):-.ZhangGuoqiang,WangGaolin,XuDianguo.FilterlessSquare-WaveInjectionBasedInitialPositionDetectionforPermanentMagnetSynchronousMachines.TransactionsofChinaElectrotechnicalSociety,,32(13):-.

论文摘要：针对无位置传感器内置式永磁同步电机（IPMSM）初始位置检测中，传统的基于凸极跟踪的短脉冲电压注入法难以确定脉冲宽度和幅值、实现困难、二次谐波分量法信噪比低的缺点，提出一种基于无滤波器方波信号注入的IPMSM初始位置检测方法。

首先通过向观测的转子d轴注入高频方波电压信号，采用无滤波器载波信号分离方法解耦位置误差信息，通过位置跟踪器获取磁极位置初定值；然后基于磁饱和效应，通过施加方向相反的d轴电流偏置给定，比较d轴高频电流响应幅值大小实现磁极极性辨识；最后，通过2.2kWIPMSM矢量控制系统对提出的基于无滤波器方波信号注入的初始位置检测方法进行实验验证。

结果表明，所提方法收敛速度较快，可在IPMSM转子静止或自由运行状态实现初始位置辨识和低速可靠运行，位置观测误差最大值为6.9°。