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今天我们一起梳理一下新洁能，公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。通过持续的自主创新，公司在沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET以及IGBT等产品的设计研发方面拥有多项核心技术。公司的产品先进且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等领域。

公司主要为Fabless模式，并向封装测试环节延伸产业链，芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产，功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试而成。公司全资子公司电基集成新建并持续扩充完善先进封测产线，目前已实现部分芯片自主封测并形成特色产品。

半导体可分为集成电路、分立器件、光电子和传感器等产品类别，其中，分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，主要实现电能的处理与变换，实现电力电子设备的整流、稳压、开关和混频等。分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等功率半导体器件，其中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率三极管、晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点，应用前景十分广阔。

MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistor），是一种通过场效应控制电流的半导体器件。MOSFET具有输入电阻高、频率高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象且安全工作区域宽等诸多优势，在工业、家电、汽车电子和消费电子领域广泛应用。

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力，已成为电力电子领域开关器件的主流发展方向。

消费电子市场体量可观，为MOSFET等功率半导体带来稳定且广泛的应用需求。消费电子市场体量可观，以智能手机市场为例，根据IDC的数据，年全球智能手机出货量达12.92亿部。同时，在5G升级的带动下，智能手机市场迎来新一轮换机潮，5G手机渗透率和出货量有望保持持续增长。根据IDC的测算，5G智能手机的出货量在年将达到全球出货量的19％，并在年增长到58％。功率半导体在智能手机中的应用十分广泛，其中，MOSFET是智能手机的充电保护电路、放电保护电路等组件的核心元件，未来随着以智能手机为代表的消费电子市场持续扩张，MOSFET等功率半导体的需求量有望稳步提升。

新能源发电市场持续扩容，已成为MOSFET、IGBT等功率半导体市场的重要驱动力。新能源发电主要以光伏发电和风力发电为主，根据Wind的数据，年，全球光伏累计装机量达.42GW，同比增长19.99%，我国光伏累计装机量继续保持快速增长，年累计装机达.49GW，同比增长17.27%，装机容量位居世界第一。

根据Wind的数据，年，全球风电累计装机量有达.70GW，同比增长10.44%，中国风电累计装机量年达.48GW，同比增长13.98%，增速高于全球平均水平。由于新能源发电输出的电能不符合电网要求，需通过光伏逆变器或风力发电逆变器将其整流成直流电，再逆变成符合电网要求的交流电后输入并网。

以MOSFET、IGBT为代表的功率半导体是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心元件，新能源发电行业的迅速发展已成为MOSFET、IGBT等功率半导体市场持续增长的重要动力。

新能源汽车市场快速发展，有望推动MOSFET、IGBT等功率半导体市场持续增长。以MOSFET、IGBT为代表的功率半导体是新能源汽车电机控制器、车载空调、充电桩等设备的核心元件。

随着新能源汽车市场的快速发展和智能驾驶技术的应用，新能源汽车中以MOSFET、IGBT为代表的功率半导体器件产品的需求量有望进一步提升。根据中商产业研究院的数据，传统汽车中功率半导体在汽车半导体中的用量占比约为21%，低于IC产品的用量（23%），但在纯电动新能源汽车中，功率半导体的用量显著增加，在汽车半导体中的用量占比约达56%。

同时，新能源汽车中的功率半导体价值量提升十分显著，根据英飞凌的数据，新能源中汽车功率半导体器件的价值量约为传统燃油车的5倍以上。其中，IGBT约占新能源汽车电控系统成本的44%，是电控系统中最核心的电子器件之一，因此，未来新能源汽车市场的快速增长，有望带动以IGBT为代表的功率半导体器件的价值量显著提升，从而有力推动功率半导体市场的发展。

新能源汽车市场规模保持快速增长趋势，根据前瞻产业研究院的数据，年，全球新能源汽车销量达万辆，同比增长46.6%。根据中国汽车工业协会的数据，年，中国新能源汽车销量达.6万辆，同比增长10.9%，并且未来新能源汽车的市场规模有望继续扩张。新能源汽车市场规模的增长，有望带动MOSFET、IGBT等功率半导体市场需求的持续提升。

受益于消费电子、新能源、汽车等下游应用需求的持续提升，以及功率半导体更新换代的驱动，MOSFET、IGBT市场持续扩容。根据基业长青的数据，年，全球MOSFET市场规模约79亿美元，同比增长4%，市场空间十分广阔，且未来几年有望保持稳定增长。

目前，中国MOSFET市场主要由英飞凌、安森美、瑞萨等海外厂商占据。根据IHS的数据，年，英飞凌、安森美、瑞萨合计占据中国MOSFET市场约53.2%的市场份额，国产替代空间十分广阔。

在IGBT市场，根据博思数据研究中心的统计，年全球IGBT市场规模达57.67亿美元，同比增长6.40%，并且未来市场规模有望保持稳定增长。根据中国产业信息网的数据，年中国IGBT市场规模为.9亿元，同比增长22.19%，增速显著高于同期全球平均水平。

目前，国内IGBT市场主要由英飞凌、三菱电机、富士电机等海外厂商占据。根据中国产业信息网的数据，年，英飞凌、三菱电机、富士电机、ABB、飞兆等海外厂商在中国IGBT市场的份额合计达48.7%，同时，从V及以下的常规IGBT市场到V以上的高端IGBT市场，海外厂商的IGBT产品的市场优势地位均十分明显。

目前，国内越来越多的电子产品企业为保证供应链安全以及降低产品成本，开始向国内优秀的半导体分立器件企业采购技术水平和性价比较高的MOSFET、IGBT等功率半导体产品。未来，随着国内功率半导体行业逐步突破高端产品的技术瓶颈，我国功率半导体对进口的依赖将会进一步减弱，国产替代效应将持续显现。

公司是国内领先的功率半导体设计企业。在中国半导体行业协会发布的年、年、年和年中国半导体功率器件企业排行榜中，公司连续四年名列“中国半导体功率器件十强企业”。根据公司招股说明书的数据，年，公司在国内MOSFET市场的份额为3.65%，位居本土厂商前列。

依托领先的产品和技术优势，公司产品的应用市场不断拓展，积累了众多优质客户资源。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以及优质的销售服务已进入消费电子、汽车、网通、安防等多个下游细分领域，广泛的下游应用领域既保障了对公司产品的充足需求，为公司发展提供了广阔的市场空间，又提升了公司应对下游单一行业波动等市场风险的能力。同时，公司产品已实现向下游行业内多家龙头客户供货，积累了包括海尔、纳恩博、宁德时代、飞利浦、三星、长城汽车、TP-Link在内的众多优质客户资源，产品的应用市场和客户拓展稳步推进。

公司作为国内领先的半导体功率器件设计企业之一，通过多年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已接近国际先进水平。公司研发的产品紧跟国外一线品牌，如英飞凌、安森美、意法半导体等，并凭借成本、区域优势逐步实现对MOSFET、IGBT等中高端产品的国产替代。公司屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET以及沟槽型场截止IGBT产品平台已实现量产，部分产品的参数性能及送样表现与国外一线品牌同类产品基本相当，具有较强的进口替代优势。

一、MOSFET领军企业

新洁能成立于年；年新三板挂牌；年子公司电基集成立；年宁波分公司成立；年上交所上市。

二、业务分析

-年，营业收入由5.04亿元增长至9.55亿元，复合增长率23.74%，20年实现营收同比增长23.62%；归母净利润由0.52亿元增长至1.39亿元，复合增长率38.78%，20年实现归母净利润同比增长41.89%；扣非归母净利润由0.69亿元增长至1.35亿元，复合增长率25.07%，20年实现扣非归母净利润同比增长53.82%；经营活动现金流由0.72亿元增长至0.81亿元，复合增长率4.00%，20年实现经营活动现金流同比增长7.37%。

分产品来看，年芯片实现营收同比下降13.43%至1.75亿元，占比18.39%，毛利率增加4.64pp至22.46%；功率器件实现营收同比增长36.74%至7.78亿元，占比81.61%，毛利率增加4.26pp至25.87%。

年公司前五大客户实现营收1.52亿万元，占比15.98%。

三、核心指标

-年，毛利率18年提高至高点31.63%，19年下降至低点20.73%，20年提高至25.37%；期间费用率由8.26%下降至19年低点2.89%，20年上涨至3.34%，其中销售费用率由1.99%下降至1.45%，管理费用率由6.31%下降至19年低点1.96%，20年上涨至2.53%，财务费用率由-0.04%下降至-0.64%；利润率18年提高至高点19.76%，19年下降至12.71%，20年提高至14.59%，加权ROE18年提高至高点33.72%，随后逐年下降至18.49%。

四、杜邦分析

净资产收益率=利润率*资产周转率*权益乘数

由图和数据可知，18年净资产收益率的提高是由于利润率的提高，19年净资产收益率的下降是由于利润率、资产周转率的下降，20年净资产收益率的下降是由于资产周转率和权益乘数的下降。

五、研发支出

年公司研发支出较上年增长49.96%至.04万元，占比5.42%。

六、估值指标

PE-TTM.05，位于上市以来50分位值上方。

根据机构一致性预测，新洁能年业绩增速在33.38%左右，EPS为4.63元，18-23年5年复合增长率27.84%。目前股价.84元，对应年估值是PE38.11倍左右，PEG1.14左右。

看点：

公司深耕MOSFET和IGBT设计，积累深厚，保持较强研发技术优势，赛道增速较快，同时深化国产替代进程，公司有望提升份额。