绝缘栅

总投资75亿美元,IGBT功率半导体项

发布时间:2023/6/2 17:16:22   

(图片来源:嘉善发布)

集微网消息(文/小如),7月16日,浙江嘉善举行了IGBT功率半导体项目及IGBT技术研发中心签约仪式。

IGBT功率半导体项目注册资金2.5亿美元,总投资7.5亿美元,主要从事高端绝缘栅双极型晶体管的自主研发和制造,一期达产后预计年产值将超过20亿元。同时,项目还将在县开发区设立IGBT技术研发中心。

IGBT功率半导体项目的主要投资方为赛晶电力电子集团。据

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