FET可用于放大。因为FET放大器的输入阻抗非常高，所以耦合电容器可以具有小容量，而不使用电解电容器。场效应管的高输入阻抗非常适合进行阻抗变换，因此多级放大器的输入级常采用场效应管进行阻抗变换。此外，场效应管还可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源；可用作电子开关。

FET的工作原理，换句话说就是“在漏极和源极之间流动的沟道的ID，用来控制栅极和沟道".之间的pn结形成的反向偏置的栅极电压更准确的说是ID流过的沟道的宽度，也就是沟道，的截面积，通过pn结反向偏置的变化来控制，从而导致耗尽层扩展的变化。在VGS=0的非饱和区，过渡层的延伸不是很大。根据施加在漏极和源极之间的VDS电场，源区中的一些电子被漏极拉走，即电流ID从漏极流向源极。从栅极延伸到漏极的过渡层形成沟道块的一部分，并且ID饱和。这种状态称为夹断。这意味着过渡层阻挡了一部分沟道，而不是切断电流。

FET可以作用于放大后的信号，因为FET放大器可以输入高阻抗，所以耦合功率可以很小，所以不需要使用电触点。FET可以输入高阻抗，所以阻抗变化非常适合FET。也适用于可变电阻，用作恒流源时非常方便。电子开关也是FET经常出现的地方。作为压控半导体器件，具有高阻输入、低功耗、大动态范围、低噪音、易集成、无二次击穿现象、工作安全范围大等优点。它是结型晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

场效应晶体管(FET)是一种通过控制输入回路，的电场效应来控制输出回路电流的半导体器件，属于压控半导体器件。具有高输入电阻(~)、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点。

场效应晶体管的工作原理是“沟道在漏极和源极之间流动的ID”,用来控制栅极和沟道".之间的pn结形成的反向偏置的栅极电压

场效应晶体管(FET)。有两种主要类型和金属氧化物半导体场效应晶体管。由多数载流子传导，也称为单极晶体管。属于压控半导体器件。凭借高输入电阻、低噪声、低功耗、大动态范围、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优势，成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

场效应晶体管分为结型场效应晶体管(JFET)和绝缘栅场效应晶体管(MOS)。按沟道材料类型和绝缘栅类型分两种：N沟道和P沟道按导电模式分：耗尽型和增强型，结型场效应晶体管都是耗尽型，绝缘栅场效应晶体管都是耗尽型和增强型。场效应晶体管可分为结型场效应晶体管和MOS场效应晶体管，MOS场效应晶体管可分为N沟道耗尽型和增强型。p沟道耗尽型和增强型。