集成电路在信息技术领域具有重要地位，受物联网、新能源智能汽车、智能终端制造、新一代移动通信等下游市场需求驱动，集成电路行业飞速发展。高频、高功率的集成电路制造需要性能更加优越的材料以满足产业升级的需求。

SiO2是优秀的绝缘材料，并且具有非常稳定的化学性质，这使它被广泛应用于集成电路制造业中。

在集成电路制造中主要起到以下几个作用：

绝缘介质——SiO2作为一种理想的绝缘体，在多层金属布线结构中，它可用作上下两层金属之间的绝缘介质，防止金属之间发生短路。

掩蔽杂质——在集成电路制造中，如硼、磷、砷等常用杂质在SiO2膜中的扩散要比在Si中慢得多，因此，在制作半导体器件的各个区时，最常用的方法是首先在硅圆片表面生长一层SiO2膜，经过光刻、显影后，再刻蚀掉需掺杂区域表面的氧化膜，从而形成掺杂窗口，最终通过窗口选择性地将杂质注入相应的区域中。

栅氧化层——在MOS/CHOS集成电路的制造工艺中，通常用SiO2作为MOS晶体管的绝缘栅介质，即栅氧层。

介质隔离——集成电路制作中的隔离方法有PN结隔离和介质隔离，其中介质隔离通常选择的就是SiO2氧化膜。