前言

随着氮化镓功率半导体的发展与普及，越来越多的厂家采用氮化镓功率器件来满足大功率电源方案设计需要。镓未来深耕半导体行业多年，在琳琅满目的氮化镓功率器件市场上，其产品推出后依然斩获联想等众多大品牌的喜爱，究竟其有何魅力，让我们一探究竟。

联想拯救者CW氮化镓充电器

联想这款专为笔记本而生的充电器，整体机身呈黑色，外壳亮面磨砂撞色处理，造型看起来棱角分明，但实际持握边缘并不硌手，在插脚处采用亮面设计，反差突显出LEGION品牌和W输出功率。

通过测量，测得充电器机身尺寸为64.94*66.83*30.48mm，算得充电器体积约为.28cm3，功率密度约为1.06W/cm3，与苹果W充电器相比，优势十分明显。

充电头网拆解发现，这款充电器采用PFC+AHB开关电源架构设计，PFC进行功率因数校正，AHB开关电源进行宽电压输出，最后由协议芯片通过光耦反馈控制接口输出电压。

充电头网拆解发现，其内部的PFC升压开关管采用镓未来G1N65RPB-N。

而AHB半桥氮化镓开关管，采用的是镓未来G1N65RPB，这两款都是镓未来G1N65系列产品。

镓未来G1N65系列产品介绍

镓未来G1N65RPB-N是一颗耐压V的氮化镓功率器件，瞬态耐压V，标称导阻mΩ，栅极耐压支持±20V，可使用传统硅MOS驱动，相比增强型氮化镓，大大简化栅极驱动电路设计，其采用PQFN8x8封装，散热焊盘为源极，可以有效减小高频走线面积，提升EMI性能。

G1N65RPB-N详细资料。

G1N65RPB，是一颗采用PQFN8x8封装的氮化镓功率器件，其耐压值为V，瞬态耐压高达V，导阻mΩ，栅极耐压支持±20V。G1N65系列场效应管是市场上所有宽带隙器件中具有最可靠的栅极和最低反向电压降的氮化镓(GaN)场效应晶体管。只需要简单的栅极驱动，便能提供一流的性能和出色的可靠性。

G1N65RPB详细资料。

产品特性

栅极电压阈值较高，无需负压关断

快速开/关速度，减少开关损耗

在高频条件下，由于超低栅极电荷和其简单的栅极驱动，其具有最低的驱动器消耗

在所有SiC和GaNFETs中，其关断状态的反向导通VF最低，减少了死区损耗

具有超低反向恢复电荷，适用硬开关桥应用

瞬态耐压值高达V，具有更高的可靠性

产品优点

实现非常高的转换效率

可以为紧凑型电源提供更高频率

由于温升较低，节省了产品成本和降低尺寸要求

由于工作时温度较低，提高了产品安全性和可靠性

应用领域

使用QR或ACF反激拓扑的高频紧凑型充电器

半桥降压/升压，图腾杆PFC电路或逆变电路

高效/高频LLC或其他软开关拓扑

充电头网拆解了解到，镓未来G1N65系列产品还应用在大疆W双USB-C氮化镓桌面充电器、智融65W超薄三USB-C氮化镓快充电源方案、驰衡科技65W氮化镓快充方案、TEKA铁甲65W氮化镓无线智能充电器、悦米65W1A1C氮化镓快充充电器、绿巨能65W三口氮化镓快充充电器、唯沃丰65W2C1A氮化镓快充充电器、芯茂微65W2C1A氮化镓快充充电器等多个品牌多领域的电源方案上，得到了行业的高度认可。

珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓(GaN-on-Si)研发与制造。产品具有易于使用（兼容SiMOSFET驱动）、可靠性高、性能参数领先等优点，可提供PQFN、DFN、TOLL、TO-等贴片封装以及TO-、TO--3L、TO--4L等插件封装全系列产品，为市场提供高效、节能环保的下一代功率器件。

镓未来产品涵盖小功率（W）、中功率（W~1kW）和大功率（1kW~6kW），在国内率先实现全功率范围氮化镓器件的量产。重点市场包括消费电子、电动工具、数据中心、便携储能、微型逆变器、电动汽车、智能电网和工业市场。丰富的应用方案包括PD快充适配器、电动工具充电器、LED驱动电源、储能双向逆变器、电池化成电源、ICT服务器电源、算力电源、车载双向DC-DC等。

自年成立以来，镓未来已获专利近50项。年获得本土创新创业团队，广东省博士工作站，国家级“高新技术企业”，广东省“创新型中小企业”称号，广东省“专精特新”中小企业，“氮化镓器件V系列产品”与“V/大功率产品”被评为省名优高新产品以及澳门BEYONDAward所颁布的消费科技创新大奖。

镓未来总部位于横琴深合区，深圳子公司聚焦应用和营销，以及上海分公司和杭州华东应用中心，能为客户提供全方位的售前售后支持。镓未来以“打造和普及一流的氮化镓产品”为使命，立志为业界提供“最好用最可靠”的氮化镓产品。

镓驭功率电子未来GaNInspiresFuture

欲知详情，请访问：

转载请注明:http://www.aideyishus.com/lkzp/5885.html